イーディーピー

３【事業の内容】

人工ダイヤモンドは宝石や研磨剤として広く使われています。1955年に超高圧合成法（注１）による人工合成技術が開発され、1981年には気相合成技術が開発され、各種の応用に人工ダイヤモンドが使用されています。宝石については、天然ダイヤモンドが使用されてきましたが、10年ほど前から人工ダイヤモンドが出始め、今では相当量の人工宝石が宝石店やネットで販売されております。このような人工宝石は、LGD（Laboratory Grown Diamond：人工ダイヤモンド宝石、以下「LGD」という。）と呼ばれ、既に欧米のみならず中国やインドでも、市場における認知が進んでおります。

当社はこの人工宝石を製造する手法の一つである気相合成法において、宝石を成長させるための元となる「種結晶」を主要製品として、販売しております。購入したLGDのメーカーは、この種結晶を成長させて原石を作り、これをカットと研磨を行い、宝石を作ります。最終的には宝飾品に加工して、消費者に届きます。従って、当社は、LGD市場のサプライチェーンにおいて、最上流のポジションに位置しております。当社は産総研の開発した大型ダイヤモンド結晶製造技術を移転し、それによって種結晶を製造し、人工宝石を製造する企業へ販売を行っております。

当社が販売しております種結晶は、５x５mm～15x15mmの正方形で、厚さが0.2mmや0.3mmの薄い板であります。人工宝石製造会社は、これを気相合成法によって、３～10mmの厚さまで成長させます。成長しますと形状としては粒状の宝石の原料となる結晶（原石）が出来あがります。このような結晶を、カットし研磨しますと、ルース（裸石）になり、これを宝飾品に取り付けます。当社のユーザーは原石を作っている企業でありますが、多くの場合、原石を製作する企業は、ルースまで製作し、宝飾業者や宝石店に販売しております。

当社は種結晶は直接もしくは商社を通じて人工宝石製造会社等に供給し、そこでできた宝石は、直接もしくは宝石販売会社等を通じて消費者に販売されております。

一方、当社の生産技術は、産総研が開発した手法を元にしており、この技術の知的財産権は産総研が有し、当社は特許等実施許諾契約（契約期限2026年10月31日）を締結しており、当該契約に基づき、他の製品を含み、販売した製品金額から算出した実施料を、産総研に納入しております。

当社のこのような事業は、グローバルに展開していますが、その事業系統図を以下に示します。

当社種結晶の事業系統図

宝石や研磨剤は、粒状のダイヤモンドを利用していますが、電子部品や光学部品等として利用する場合は、通常は板状の材料を使用しております。当社は、ダイヤモンドの単結晶を、ガスから成長させる人工的な手法で製作し、これを電子材料の分野などへ工業材料として販売しております。板状の単結晶ダイヤモンドを製造できることが大きな特徴です。これによって、砥粒分野以外の応用分野にとっては適用しやすいとともに、当社が採用する気相合成法以外の他の製造手法や競合他社に比べ大型の単結晶が製造できるという、優位性を持っております。

現在では、当社の製品は、次第に一般的になってきている人工宝石生産に用いる元となる結晶（以下、「種結晶」という。）、ダイヤモンドを半導体材料として様々なデバイス（注２）へ使うための基板、高発熱のデバイスを冷やすための材料（ヒートシンク）、原子レベルまでの精度が要求される精密加工切削工具等の分野において利用されております。当社はこれ等の分野へ製品を開発し、出荷しております。人工宝石を製造するための種結晶が、主要な製品となっており、2024年３月期売上高の63.5％を占めております。

ダイヤモンドは硬度が最も高いことから、従来から、石材などの硬質材料を切断、研磨する砥石として広く使われており、このための微小（0.3mm以下のもの）なダイヤモンド砥粒（注３）も、従来から一般的に人工合成技術によって作られておりました。一方で、ある程度のサイズを持ったダイヤモンド単結晶は、宝石としては多くの人の目に入るものですが、切削工具や光学部品として、工業用にはごく少量しか使われておりませんでした。最近になって、人工合成手法によって、ダイヤモンド宝石材料を製造する技術が完成し、大量の生産が行われるようになりました。当社のダイヤモンド単結晶は、この製造において重要な役割を果たす種結晶として使用されております。

当社のダイヤモンド単結晶製造技術は、産総研によって基本技術が生み出され、当社がこれを実用化するために、数々の開発を進めてきました。産総研はこの技術について基本的な知的財産権を持っており、当社は「産総研発ベンチャー」としてこれらの知的財産権の独占的実施権を有しています。

なお、当社はダイヤモンド単結晶の製造、販売、開発事業の単一セグメントであるため、セグメントごとの記載はしておりません。

(1) 当社の製造技術

①ダイヤモンドの人工合成技術

ダイヤモンドは一般には天然に産するものと考えられていますが、現在使用されている工業用ダイヤモンドのほとんどは人工合成で製作されています。ダイヤモンドの人工合成法は1955年に超高圧合成法が確立し、その後当社が採用する気相合成法を含む他の２種法が登場しました。

この中で気相合成法は、メタンなどの炭素を含んだガスを、何等かの手段で活性化し、1,000℃程度の温度でダイヤモンドを生成する方法であります。1981年に、日本の無機材質研究所（現在の研究開発法人物質材料研究機構）が発表して、その後多くの研究者が取り組んだ手法です。気相合成法とは物質形成手法の一つで、基本的には気相（ガス）から物質が生じる現象を利用します。気相へ元素を取り出す方法が２種類あり、物理的な手法（Physical Vapor Deposition ; PVD）と、化学的な手法（Chemical Vapor Deposition ; CVD）の２つに分類されます。この内、CVD法のみでダイヤモンドを生成することができます。

CVD法では、ガスを原料として使用し、温度を上げる方法やその他の手段により、目的の物質を作り出すための反応を促進します。ガスの活性化の手段の一つが放電現象によって発生するプラズマ（注４）であり、プラズマを利用することで、目的の物質を作り出すことが可能であります。当社は、ダイヤモンドを成長させる手段として、プラズマを利用する「プラズマCVD法」を使用しております。

プラズマCVD法以外のいずれの手法でも、金属やセラミックス上にダイヤモンドを形成できますが、その場合は多結晶（非常に小さい単結晶粒子が固まったもの）のダイヤモンドとなります。単結晶のダイヤモンドを生成させるには、ダイヤモンド単結晶の上に成長させることが必要です。CVD法の中には、成長したダイヤモンドに、金属などの不純物が結果的に混入してしまう手法があります。当社のような単結晶を利用する製品用途では、純粋なダイヤモンドを成長させることが必要で、そのために成長させるための手法は限定されます。また、厚さ方向への成長速度が速すぎると、結晶が乱れることがあり、成長速度を制御できることも重要な要素です。

不純物の混入がほとんどなく、成長速度を制御できる方法は、プラズマCVD法です。この方法は、反応ガスを放電などで生成するプラズマによって分解するもので、プラズマ生成手段は色々ありますが、当社は、この手段として2.45GHzの電波であるマイクロ波（注５）を採用しております。

各プラズマ発生源（装置）がダイヤモンド成長にとって有効であることは確かめられていますが、安定性と不純物制御の観点から、当社はマイクロ波を選択しています。使用できるマイクロ波の周波数は電波法などで管理されており、2.45GHzもしくは915MHzを使うことができます。当社は現在、2.45GHzのマイクロ波を使った装置で、ダイヤモンドを成長させています。この装置では、概ね直径５cmの領域に、ダイヤモンドを形成できることが知られています。この装置の大きな特徴は、長時間の運転を安定して行うことができることや、数mmといった厚いダイヤモンドを製造することができることであります。

②ダイヤモンド単結晶を成長させる技術

単結晶とは、一つの結晶（構成する分子が規則正しく並んでいる状態）でできているもので、天然に産するダイヤモンドはほとんどが単結晶です。多結晶は、微小な単結晶が集まったもので、結晶と結晶の隣り合う部分は結晶粒界と呼ばれ、結晶が乱れた状態になっています。

ダイヤモンド単結晶を、CVD法のダイヤモンドが成長できる条件下に置くと、その上を覆うように単結晶が積み上がってきます。ここでは、成長させるための結晶を「親結晶」と言い、成長した結晶を「子結晶」と称します。成長した子結晶は、成長させた親結晶と同じ原子配列となるので、成長後には一体の単結晶となります。成長装置形状等による限界はありますが、数mmといった厚さまでの成長は、各種の成長装置で実現しています。

単結晶の成長速度は１時間当たり１µm～20µmとされています。つまり、１mm程度の厚さを作るのに、50時間（20µm/時間）～1,000時間（１µm/時間）が必要な成長速度です。成長速度によってでき上がる結晶の特性は変化し、遅い成長速度である程、高品質の結晶が得られます。成長速度が遅ければ、成長に要する製造コストは高くなります。従って、求められる結晶品質によって、成長の条件を選択することが重要です。

気相成長した結晶の品質は、成長速度だけで決まるのではなく、混入する不純物や子結晶を成長させる親結晶の品質によっても左右されます。不純物としては窒素（N）が代表的な元素ですが、成長中の反応ガスに含まれる窒素濃度が変化すれば、広い範囲の結晶品質の変化が見られます。高窒素濃度の成長では、見た目にも黒くなり、結晶品質が悪くなります。また、親結晶に結晶欠陥が多数あると、成長した結晶にこの欠陥が引き継がれます。引き継がれる程度は、成長条件によってある程度制御は可能ですが、一般的にはより良い親結晶を使うことは、より良い子結晶を成長させることになります。また、同じ成長条件で同じ親結晶を使っても、成長前の親結晶の表面が汚れていれば、それが子結晶の品質悪化の原因ともなります。

多くの半導体材料（シリコン、ガリウムひ素、炭化ケイ素等）は、小さな種結晶を成長させて大きくしており、シリコンの場合では30cm（12インチ）の直径を持つ単結晶ウエハも製作できます。ダイヤモンドの気相からの成長では、この様に結晶の面積を拡大する方法は見つかっていません。すなわち、あるサイズの親結晶から成長させても、親結晶のサイズより大きくはならず、ただ単に厚さが増すだけです。従って、ダイヤモンド単結晶の成長では、必ず最終的に必要なサイズの親結晶を使う必要があります。

単結晶を大型化するには、結晶の成長方向を変えて、繰り返し成長することが唯一の方法です。当社でも４x４mm程度の小さな元結晶から、成長させる方向を６回ほど変更することで、12x12mm以上の面積を持つ大型単結晶を作製しています。しかし、この手法を使っても、装置内でダイヤモンドが成長できる大きさには限界があり、作製できる形状も限られます。また、複数回の成長を繰り返すため、大型結晶にするには非常に長時間の成長を安定的に行うことが必要です。

このようにして成長したダイヤモンドは、原子の配列が完全なダイヤモンド単結晶であり、不純物を少なく制御できれば、純粋なダイヤモンドとなります。宝石として使用されている天然ダイヤモンドのほとんどは、0.2％程度窒素を含有していますが、上記のように製作したダイヤモンドは、窒素量を0.0001％以下（1ppm）まで制御することが可能です。純粋で結晶欠陥の少ないダイヤモンドほど、宝石としての価値も高くなりますが、高品質が必要となる半導体材料や光学材料としても適した性質を実現しています。

③当社の大型単結晶製造技術

当社は産総研の技術を基にして、板状のダイヤモンド単結晶の量産技術を確立してきました。産総研の開発した大型単結晶の製造技術は、以下の２つの特徴ある技術によって構成されており、その特許を産総研が保有しています。

a.イオン注入法（注６）を用いた、成長した単結晶の親結晶からの分離技術

b.モザイク結晶の製造法（複数の単結晶を接続し、大面積の疑似単結晶を製作する技術）

以下、これらの技術について概要を説明します。

a.イオン注入法を用いた、成長した単結晶の親結晶からの分離技術

上記のように、ダイヤモンド単結晶上にダイヤモンド単結晶を成長させると、一体になった単結晶ができます。親結晶と子結晶は、同じ結晶であるので境界は存在しません。子結晶を親結晶から剥がさなければ、親結晶をもう一度使うことができません。ダイヤモンドの切断は、レーザーによって行うことができるため、成長したダイヤモンドをレーザーによって切り離すことが考えられます。

数mm程度の小型のダイヤモンドをレーザー切断するのは短時間で可能で、大出力のレーザーも必要ありません。切断部分が10x10mmといった大きさになると、レーザーがダイヤモンドに入り込む深さが限定されますので、切断に非常に長時間を要します。このことによって、切断コストが高くなるだけではなく、工業的に切断できる大きさに限界があります。ダイヤモンドデバイス生産で要求されているのが２インチ（５cm）ウエハと呼ばれる円盤状のダイヤモンド単結晶で、この場合は直径５cmを横に切る必要があり、実現はかなり難しいと考えられています。そこでレーザー切断以外の方法で、以下の図に示す成長した結晶を切り離す技術を開発しました。

親結晶からの分離技術

その方法は、イオン注入を用いて、切り離す方法です。イオン注入は、非常に高いエネルギーに加速したイオンを、物質表面にぶつける手法で、半導体デバイスの製造などで使用されています。この方法で注入したイオンは、表面から侵入して、イオンが止まった部分で結晶を崩し、欠陥が多い領域を作ります。しかし、最表面はイオンが通過することができるので、結晶は崩れておらず元の整列した状態を維持できます。どのような深さまで侵入するかは、イオンの種類、イオンのエネルギー、注入する相手物質の結晶構造によって異なります。

ダイヤモンドの場合は、C+（炭素原子の電子が一つ少ないイオン）を使ってイオン注入することで、不純物の心配がなく処理が可能です。１MeV（メガエレクトロンボルト；1,000,000Vの電圧で加速した状態）のC+イオンは約1.2µmの深さに侵入し、その周辺の結晶を崩します。上記のように、これでも最表面は結晶が元のきちんとした整列状態を維持しています。

マイクロ波プラズマCVD法で、このイオン注入した結晶の表面にダイヤモンドを成長させると、最表面の結晶が崩れていませんので、ダイヤモンド単結晶が成長できます。所定の厚さまで成長させた後でも、この親結晶と成長した結晶は、離れていません。これを、電気化学的な手法を用いて、結晶が崩れた薄い部分を除去します。そうすると、先に成長したダイヤモンドが親結晶から分離して、板として取り出すことができます。

イオン注入によって結晶が崩れる部分は、わずか１µm程度の薄い層ですので、エッチングによって喪失する部分はごくわずかです。従って、親結晶はこの分離作業が完了した時、イオン注入前の形状と同じ状態となります。その表面に再度イオン注入を行って、同じような手順で新たな子結晶を作製することも可能です。分離した子結晶は、基本的には親の結晶と同じ形状ですので、板状です。厚さは成長時間で制御できますので、必要な厚さまで成長を行えばいいということです。

この手法は、面積が大きな親結晶を使っても、同じように実現することができます。すなわち、大型の親結晶が製作できれば、その後は、そのサイズを次々に製作できます。デバイスの製作を目指すなら、２インチ（直径５cm）の親結晶を開発できれば、２インチの薄い板が製作できます。

b.モザイク結晶の製造法（複数の単結晶を接続し、大面積の疑似単結晶を製作する技術）

２インチのウエハを作るために、２インチの単結晶を作る必要がありますが、これはまだ実現していません。現実的には、10x10mmの単結晶が最大級の形状であり、２インチにするためにはこれを接続して、２インチの大きさにすることが考えられます。そこで、横方向の接続方法が開発されました。

上記の分離技術を使い、同じ親結晶から複数枚の子結晶を作製します。この子結晶を横に並べ、その上にさらにダイヤモンドを成長させると、複数の子結晶は新たに成長した部分でつながります。このようにして、１個の結晶ではなく、複数個の連結した結晶を得ることが可能です。当社ではこのような連結した結晶のことを「モザイク結晶」と呼んでいます。

モザイク結晶を作る際の問題はモザイク結晶の連結部分の結晶の品質にありました。連結部分はいわゆる結晶粒界になるのですが、この状態が悪くなると、その部分に多結晶ができ、見た目にも黒い線ができます。隣り合わせる結晶は、表面の結晶方位（注７）を合わせなくては、きれいに接続できませんが、それでも微妙な結晶方向の違いが発生するために、境界をきれいにすることは難しいことが知られています。

産総研の開発した技術は、以下の図に示すように、複数個の結晶を同じ親結晶から、上記の技術を使って分離します。

モザイク結晶の製作技術

同じ親結晶から複数個の結晶を作ることで、結晶面の揃った複数個の結晶を得ることができます。これを横に並べ、その上に成長させることによって連結し、境界がきれいなモザイク結晶を得ることができます。以下の図（30x30mmのモザイク結晶の写真）はこのような当社のモザイク結晶の例であります。９個の約10x10mm単結晶が接合され、30x30mmの大きな一つの結晶として扱うことが可能であります。

　30x30mmのモザイク結晶の写真

④生産プロセスへの適用

当社の生産プロセスの全容は、以下の図のとおりであります。

当社の生産プロセス概略図

　当社の生産技術で重要なことは、作製したモザイク結晶を使って、親結晶からの分離技術を使い、同じサイズのモザイク結晶を作ることであります。いわばモザイク結晶の複製を続けることで、多くの同じサイズのモザイク結晶を製作しております。結晶粒界の内側は、単結晶であり、その部分を切り取れば、単結晶の製品とすることができます。

モザイク結晶を親結晶として、親結晶からの分離技術によって、比較的薄い板を製作します。製品ごとにダイヤモンドの厚さへの要求は異なりますが、厚い場合はこれを積み増して、所定の厚さとします。

所定の形状への切断は、レーザーで行っています。丸や四角形等の形状を、数10µmの長さ精度で切り出すことができます。製品によっては表面の研磨が必要で、当社はスカイフ（注８）と呼ばれる手法で、10µm程の粒径を持った砥粒を研磨剤として使った手法を取っております。

イオン注入を用いて成長した結晶を分離する手法は、個々の単結晶を使っていると、煩雑となるため、当社は複数個の単結晶を接合したモザイク結晶を使用しています。すなわち、上図の親結晶は、10x10mmの単結晶が２～９つ接合したモザイク結晶となります。完成する薄板も、同じように２～９個の単結晶が接合したモザイク結晶を得ることができます。

親結晶は、複数回使用することが可能ですが、表面状態が悪くなれば、再研磨を行ってきれいな表面に仕上げます。何度かこれを繰り返すことができ、一つの親結晶から20個以上の子結晶を得ることも可能であります。しかし、永久に親結晶を使えると言う訳ではなく、ある程度使用しますと割れたり、大きな欠陥が入ったりしますので、そのような状態になれば、親結晶としての使用を止めます。

親結晶は常にイオン注入する面の状態を、良い状態にすることが必要であります。イオン注入を経て、分離が終わると、新しい子結晶の特性は、親結晶の表面状態の影響を強く受けます。親結晶の管理は、当社製品の特性を良好に保つために、重要な管理項目であります。当社は単結晶製品を大量に製造していますので、このモザイク親結晶を多数保有し、これらを次々に生産プロセスに投入し、分離したモザイク子結晶材を使って製品を製作しております。

成長はマイクロ波プラズマCVD法と呼ばれる手法で、安定的に良質の単結晶を成長させることができます。成長を薄い状態で止めれば、薄い素材ができます。また、一旦分離した素材をさらに積み増して、厚い素材を作ることもできます。現在のところ、製作できる結晶の厚さや大きさは、以下のような範囲です。

　a.大きさ：１x１mm～30x30mm（モザイク結晶を含む）

　b.厚さ：0.03mm～３mm

モザイク結晶を構成する基本的な単結晶は、ほぼ10x10mmですので、単結晶で製作できる最大の大きさを10x10mmとしています。それ以上の大きさの場合は、複数個の単結晶を組み合わせたモザイク結晶です。

(2) 当社製品の特長

　当社の単結晶は、上述の生産工程に関連して、以下に示すような特長を持っています。

①大型の単結晶

当社は、大型の単結晶を、大量に製造することができます。10x10mmの四角形の単結晶、30x30mmのモザイク結晶を製作できます。

②板状の形態

ダイヤモンド単結晶は、通常は粒子状です。用途の多くは板状で使用するため、粒子から板を切断によって製作することが求められます。これに対し、当社の単結晶は、元々板状で製作しますので、このような工程が必要ありません。このために、板状の製品を製作するコストが安くなります。

③広い厚さ範囲

当社の生産プロセスにおいて、成長させる結晶が薄いうちに（短時間で）成長を止めれば、薄板を製作できます。一方、ある程度の厚さの板を作った後で、追加の成長を行えば厚板ができます。当社の生産手法は、板厚に対する制限がほとんどないところが特徴で、板厚0.03～３mmまでの２桁の範囲の製品を生産することが可能です。

④様々な仕様の基板

ダイヤモンドデバイスの研究開発は、未だ基礎的な研究段階です。このため、研究者ごとに必要な基板が異なりますが、当社はこれに対応できる様々な仕様の基板を製品化しています。高品質の基板、半導体層を基板上に形成したもの、表面の結晶面を特定したもの、等々を生産することができます。

＜用語解説＞

４【経営者による財政状態、経営成績及びキャッシュ・フローの状況の分析】

(1）経営成績等の状況の概要

当社の財政状態、経営成績及びキャッシュ・フロー（以下「経営成績等」という。）の状況の概要は次のとおりであります。

①経営成績の状況

当事業年度の世界経済は、ロシアのウクライナ侵攻による戦況が膠着状態となり、引き続き世界経済に影響を与えました。一方、2023年10月７日に始まった、パレスチナとイスラエルの紛争の影響を受けて、中東全体を含んだ複雑な紛争状況となりました。これにより、エネルギー価格の高騰が心配されましたが、中国経済の状況などもあり、WTI（ウエスト・テキサス・インターミディエート）について$100／バレルを越えるような高騰はありませんでした。

米国景気は当事業年度を通して強い状態で進行し、金利上昇をもたらしましたが、下期にはその進行は穏やかになりました。一方、物価は一貫して高い上昇率を示しており、労働市場がタイトで、賃金上昇が顕著であったことと合わせ、米国の金利が下がる状況にはなりませんでした。このような米国の金利状況があったため、ドル円の為替レートは、１ドル130円台から150円を突破する水準まで下落しました。この為替レートの変化は、我が国における物価の上昇に大きな影響を与えましたが、当社にとっては輸出品の円価格での上昇をもたらしました。

当社製品の主要なビジネス分野であるLGD（Laboratory Grown Diamond：人工宝石）市場は、当事業年度において引き続き規模が拡大しております。このような状況下、前事業年度第４四半期から、特に小型宝石について供給過剰が発生し、そのことによってLGDの価格は全般に下落しており、その影響が天然ダイヤモンドの価格にも反映され、価格下落が進行しております。

当社の主要種結晶ユーザーは主に小型宝石の生産を行っておりましたので、当社の種結晶は当事業年度において受注が減少したほか、前事業年度の受注のキャンセルが発生するなどの困難な事態となりました。また、ユーザーによっては経営が困難となったところもありました。

インド市場においては、LGDメーカーが種結晶を自家生産する動きが拡大したことから、種結晶価格の低下が顕著となり、当社も価格情報を入手して、対応を進めてまいりました。

また、一部のユーザーは採算が悪化した小型宝石から価格の高い大型宝石へ軸足を移す動きが増加しております。当社は、その動きに対応するため、2023年８月に13x13mm及び14x14mm種結晶を発売し、また、2023年11月には15x15mm種結晶も発売することで、大型宝石製作のための種結晶製品をラインアップし、これらのユーザーの需要に応えました。これらの大型宝石用種結晶は、当事業年度の売上に貢献しましたが、数量の多かった小型宝石用種結晶に比べ、販売数量が少なく、小型宝石用種結晶の需要減少による売上減少をカバーするには十分ではありませんでした。

さらに、イスラエルには当社の最も大口のユーザーがありますが、2023年10月に始まったパレスチナとイスラエルの紛争の影響は大きく、当該ユーザーとの取引は一時的に停止せざるを得なくなりました。その後、当事業年度末にかけて取引の条件を整えることで、制限された範囲での出荷が可能となりました。

このような状況下、当事業年度の種結晶売上は、前事業年度に比べ81.4％減の480百万円にまで減少いたしました。2022年12月の輸出貿易管理令の一部を改正する政令の施行への対応として、2023年４月から一時的に輸出を保留したことで、一部ユーザーからの受注の減少もありました。その後、2023年７月から輸出許可を取得することで、通常の輸出が出来るようになりましたので、納期が以前より若干長くなった影響はありましたが、インドを含め世界各地のLGDメーカーからの受注を獲得してまいりました。

一方、種結晶以外の製品については、当事業年度の初めから内外の企業、研究機関から多くの引き合いが来ていました。特に、量子コンピューター関連研究を行っている海外のベンチャー企業や、パワーデバイス開発を目指す国内外の企業等から、各種の基板の受注が活発にありました。従前から活動していた国内の大学や公的な研究機関からも、前事業年度を上回る受注を獲得しました。この要因として、各国のダイヤモンドデバイスの開発支援策が整ってきたことが挙げられます。特に米国ではダイヤモンドデバイスの実用化に向けて新たな資金の投入が始まっております。

当社は創立当初からダイヤモンドデバイスの開発に資する各種基板、ウエハを出荷してきましたが、当事業年度においては、新たに開発の支援を行う新製品を上市いたしました。パワーデバイスの開発向けには、2023年８月にボロンを高濃度含有させた低抵抗基板の販売を開始いたしました。また、2023年11月には、15x15mmの単結晶基板を実用化いたしました。さらに、2024年３月には量子デバイスの開発を後押しするため、低窒素濃度の(111)基板を実用化いたしました。これらの新しい製品は、既に売上に貢献しているだけではなく、上記の各種プロジェクトを推進する役割も果たしております。

このような積極的な対応により、基板・ウエハの当事業年度の売上は、前事業年度の240.6％増の229百万円となり、特に第４四半期においては、種結晶の売上を上回る売上を達成いたしました。一方、光学部品等や工具素材につきましては、前事業年度の売上を下回る結果となりました。

種結晶の受注が大幅に減少する中、支出を抑えるべく生産設備の一部休止を含む費用削減策を講じてきました。その影響で、2022年11月に稼働を開始した島工場へは、前事業年度に発注した成長装置が導入されましたが、稼働は限定的となりました。購入資材については、必要最小限に絞るなどの対策を、当事業年度を通して講じてまいりました。

また、大型単結晶の開発、切断などの加工技術の開発にも、これまで以上の研究開発費を投じました。

前事業年度に東京証券取引所グロース市場への上場を果たしましたが、これによって内部管理体制の強化などに、従来以上のリソースを投入することが必要となりました。このために、これらを担う人材の確保を進めました。開発費用の増加に加え、この負担も増加しましたので、販売費及び一般管理費は前事業年度より大幅に増加しました。

一方、当社はLGD分野での新たなビジネス展開を行うため、原石等の製品化を目指してきましたが、2024年１月に当社100％子会社であるエス・エフ・ディー株式会社（以下「SFD」といいます。）を設立し、ビジネス体制を整えてきました。

以上の結果、当事業年度の売上高は757,549千円（前年同期比72.0％減）、営業損失は213,997千円（前年同期は1,280,928千円の営業利益）、経常損失は97,384千円（前年同期は1,280,724千円の経常利益）、当期純損失は111,336千円（前年同期は909,628千円の当期純利益）となりました。

なお、当社はダイヤモンド単結晶の製造、販売、開発事業の単一セグメントであるため、セグメント別の記載を省略しております。

②財政状態の状況

　(資産)

　当事業年度末における流動資産は1,897,003千円となり、前事業年度末に比べ1,065,240千円減少いたしました。これは主に、輸出貿易管理令の一部を改正する政令の施行への対応として、一時的に製品等の輸出取引を保留したことや、パレスチナ・イスラエル紛争によるイスラエルの当社種結晶ユーザーとの一時的な取引停止、インドのLGDメーカーによる種結晶の自家生産の動き等の影響により、種結晶の売上が前事業年度に比べ大きく減少したため、現金及び預金が1,551,352千円、売掛金が133,728千円減少したものの、製品が412,651千円、仕掛品が176,974千円増加したことによるものであります。固定資産は3,440,667千円となり、前事業年度末に比べ386,453千円増加いたしました。これは主に、前事業年度に発注していた生産及び開発設備の購入により有形固定資産が300,395千円増加したことによるものであります。

この結果、資産合計は、5,337,670千円となり、前事業年度末に比べ678,787千円減少いたしました。

(負債)

当事業年度末における流動負債は220,192千円となり、前事業年度末に比べ520,353千円減少いたしました。これは主に未払法人税等が357,613千円、未払金が82,058千円、１年内返済予定の長期借入金が34,279千円及び役員賞与引当金が25,000千円減少したことによるものであります。固定負債は266,822千円となり、前事業年度末に比べ78,586千円減少いたしました。これは主に長期借入金が83,550千円減少したことによるものであります。

この結果、負債合計は、487,015千円となり、前事業年度末に比べ598,939千円減少いたしました。

(純資産)

当事業年度末における純資産合計は4,850,654千円となり、前事業年度末に比べ79,848千円減少いたしました。これは主に、譲渡制限付株式報酬としての新株式の発行により資本金及び資本準備金がそれぞれ15,744千円増加したものの、当期純損失計上により利益剰余金が111,336千円減少したことによるものであります。

この結果、自己資本比率は90.9％（前事業年度末は82.0％）となりました。

③キャッシュ・フローの状況

当事業年度における現金及び現金同等物（以下「資金」という。）は、税引前当期純損失が86,711千円（前年同期は1,275,102千円の税引前当期純利益）と1,361,814千円減少したこと等により、前事業年度末に比べ1,551,352千円減少し、当事業年度末は688,217千円となりました。

当事業年度における各キャッシュ・フローの状況とそれらの要因は次のとおりであります。

（営業活動によるキャッシュ・フロー）

営業活動の結果使用した資金は630,746千円（前事業年度は1,184,225千円の獲得）となりました。これは主に、減価償却費451,124千円及び売上債権の減少額133,728千円があったものの、税引前当期純損失が86,711千円、棚卸資産の増加額618,577千円、法人税等の支払額339,371千円等があったことによるものであります。

（投資活動によるキャッシュ・フロー)

投資活動の結果使用した資金は908,505千円（前事業年度は1,886,624千円の使用）となりました。これは主に有形固定資産の取得による支出828,295千円、関係会社株式の取得による支出110,000千円等があったことによるものであります。

（財務活動によるキャッシュ・フロー）

財務活動の結果使用した資金は118,477千円（前事業年度は,1,862,248千円の獲得）となりました。これは主に長期借入金の返済による支出117,829千円等があったことによるものであります。

④生産、受注及び販売の実績

a．生産実績

当社はダイヤモンド単結晶の製造、販売、開発事業の単一セグメントであります。当事業年度における生産実績は以下のとおりであります。

　（注）１．金額は製造原価によっております。

　　　　２．当社の売上高及び生産高は、ダイヤモンド単結晶の製造のための設備の規模（生産能力）に依存します。なお、最近２事業年度の当社の生産能力（カラットベース）は、以下のとおりであります。

b．受注実績

　当社はダイヤモンド単結晶の製造、販売、開発事業の単一セグメントであります。当事業年度における製品種類別の受注実績は以下のとおりであります。

ｃ．販売実績

　当社はダイヤモンド単結晶の製造、販売、開発事業の単一セグメントであります。当事業年度における製品種類別の販売実績は、以下のとおりであります。

　（注）１．最近２事業年度の主な相手先別の販売実績及び当該販売実績の総販売実績に対する割合は以下のとおりであります。

　　　　２．当社は、大型のダイヤモンド単結晶を大量に製造することができますが、当社の主要な製品である種結晶に

　　　　　　ついて、人工宝石市場における種結晶の大型化のニーズが増大しております。なお、当事業年度におけるサ

　　　　　　イズ別の種結晶の出荷割合（出荷個数ベース）は以下のとおりであります。

(2) 経営者の視点による経営成績等の状況に関する認識及び分析・検討内容

経営者の視点による当社の経営成績等の状況に関する認識及び分析・検討内容は、次のとおりであります。

なお、文中の将来に関する事項は、本書提出日現在において判断したものであります。

①重要な会計上の見積り及び当該見積りに用いた仮定

当社の財務諸表は、我が国において一般に公正妥当と認められる企業会計の基準に基づき作成されております。この財務諸表を作成するにあたり重要となる会計方針については「第５　経理の状況　１　財務諸表等　(1)財務諸表　注記事項　重要な会計方針」に記載のとおりであります。

また、財務諸表の作成にあたって用いた会計上の見積り及び当該見積りに用いた仮定のうち、重要なものについては、「第５ 経理の状況 １ 財務諸表等 （１）財務諸表 注記事項 （重要な会計上の見積り）」に記載のとおりであります。

②経営成績等の状況に関する認識及び分析・検討内容

　経営成績等の状況に関する認識及び分析・検討内容については、「(1) 経営成績等の状況の概要」に含めて記載しております。

a．経営成績に重要な影響を与える要因

当社の事業に重要な影響を与える要因の詳細につきましては、「第２ 事業の状況３ 事業等のリスク」に記載のとおりであります。

b．資本の財源及び資金の流動性

　当社の資金需要のうち主なものは、ダイヤモンド単結晶の製造のための設備投資、研究開発費、人件費等の営業費用であります。

　当社は、事業運営上必要な流動性と資金の源泉を安定的に確保することを基本方針としております。

　当社は、日常の運転資金については自己資金で賄い、自己資金では賄えない設備投資資金等については金融機関からの長期借入で賄うとともに、資本での調達を検討することとしております。

　なお、当事業年度末における借入金の残高は、232,225千円であり、当事業年度末における現金及び現金同等物の残高は688,217千円であります。

c．経営方針・経営戦略、経営上の目標の達成状況を判断するための客観的な指標等

　当社は、経営上の目標の達成状況を判断するための成長性を判断する客観的な指標として、①売上高成長率、②経常利益率、③ROE、④自己資本比率を重視しております。

①当事業年度における売上高成長率は、△72.0％（前期は73.3％）となっております。

売上高成長率は、当社の成長性や事業進捗のペースを表す指標として、重視しております。

当社が競争優位性を確保しながら適切なペースで売上高を向上させ、経営上の目標を達成するための施策としては、当社の売上高はダイヤモンド単結晶の製造のための設備の規模に依存することから、金融機関からの借入及び資本での調達による長期的な資金を獲得し、設備投資を進め、生産能力の拡大を図ってまいります。

②当事業年度における経常利益率は、△12.9％（前期は47.3％）となっております。

経常利益率は、当社の売上高に対する収益性を表す指標として、重視しております。

当社の事業進捗及び競争優位性の確保にとって、設備投資及び研究開発活動が重要ですが、そのための長期的な資金として自己資金を継続的に確保することが必要であるため、一定の経常利益率の確保に努めてまいります。

③当事業年度におけるROEは、△2.3％（前期は26.1％）となっております。

　ROEは、当社の投下資本に対する収益性を表す指標として、重視しております。

また、研究開発活動により、ダイヤモンド単結晶の新たな用途を開拓することにより事業領域の拡大を図ってまいります。具体的には、大型単結晶の開発、ダイヤモンド半導体デバイス開発に必要な素材の開発や光学部品として必要な高品質結晶の開発を推進してまいります。

④当事業年度の自己資本比率は、90.9％（前期は82.0%）となっております。

　当社の事業進捗にとって設備投資は重要ですが、財務の健全性を保つためには、自己資本比率を50％以上に保ちたいと考えております。過度な借入を行うことがないよう、キャッシュ・フローにも注意を払っております。