イーディーピー

３【事業の内容】

当社グループ（当社及び当社の関係会社）は、当社（株式会社イーディーピー）及び子会社２社により構成されており、ダイヤモンド単結晶の製造、販売、開発事業を主たる業務としております。

なお、当社グループは、ダイヤモンド単結晶の製造、販売、開発事業の単一セグメントであるため、セグメントごとの記載はしておりません。

人工ダイヤモンドは宝石や研磨剤として広く使われています。1955年に超高圧合成法（注１）による人工合成技術が開発され、1981年には気相合成技術が開発され、各種の応用に人工ダイヤモンドが使用されています。宝石については、天然ダイヤモンドが使用されてきましたが、10数年前から人工ダイヤモンドが出始め、今では相当量の人工宝石が宝石店やネットで販売されております。このような人工宝石は、LGD（Laboratory Grown Diamond：人工ダイヤモンド宝石、以下「LGD」という。）と呼ばれ、既に欧米のみならず中国やインドでも、市場における認知が進んでおります。

当社はこの人工宝石を製造する手法の一つである気相合成法において、宝石を成長させるための元となる「種結晶」を主要製品として、販売してきました。販売先のLGDのメーカーは、この種結晶を成長させて原石を作り、これをカットと研磨を行い、宝石を作ります。最終的には宝飾品に加工して、消費者に届きます。従って、当社は、LGD市場のサプライチェーンにおいて、最上流のポジションに位置しております。当社は産総研の開発した大型ダイヤモンド結晶製造技術を移転し、それによって種結晶を製造し、LGDを製造する企業への販売を主なビジネスとして行ってきました。

当社が販売しております種結晶は、７ｘ７mm～15x15mmの正方形で、厚さが0.2mmや0.3mmの薄い板であります。人工宝石製造会社は、これを気相合成法によって、３～10mmの厚さまで成長させます。成長しますと形状としては粒状あるいは厚い板状の宝石の原料となる結晶（原石）が出来あがります。このような結晶を、カットし研磨しますと、ルース（裸石）になり、これを指輪等の宝飾品に取り付けます。当社のユーザーは原石を作っている企業でありますが、多くの場合、原石を製作する企業は、ルースまで製作し、宝飾業者や宝石店に販売しております。

当社の種結晶は直接もしくは商社を通じて人工宝石製造会社等に供給し、そこでできた宝石は、直接もしくは宝石販売会社等を通じて消費者に販売してきました。

一方、当社の生産技術は、産総研が開発した手法を元にしており、この技術の知的財産権は産総研が有し、当社は特許等実施許諾契約（契約期限2026年10月31日）を締結しており、当該契約に基づき、他の製品を含み、販売した製品金額から算出した実施料を、産総研に納入しております。

当社のこのような事業は、グローバルに展開していますが、その事業系統図を以下に示します。

当社種結晶の事業系統図

宝石や研磨剤は、粒状のダイヤモンドを利用していますが、電子部品や光学部品等として利用する場合は、通常は板状の材料を使用しております。当社は、ダイヤモンドの単結晶を、ガスから成長させる人工的な手法で製作し、これを電子材料の分野などへ工業材料として販売しております。板状の単結晶ダイヤモンドを製造できることが大きな特徴です。これによって、砥粒分野以外の応用分野にとっては適用しやすいとともに、当社が採用する気相合成法以外の他の製造手法や競合他社に比べ大型の単結晶が製造できるという、優位性を持っております。

現在では、当社の製品は、次第に一般的になってきている人工宝石生産に用いる元となる結晶（以下、「種結晶」という。）、ダイヤモンドを半導体材料として様々なデバイス（注２）へ使うための基板、高発熱のデバイスを冷やすための材料（ヒートシンク）、原子レベルまでの精度が要求される精密加工切削工具等の分野において利用されております。当社はこれ等の分野へ製品を開発し、出荷しております。人工宝石を製造するための種結晶が、主要な製品となっており、当連結会計年度の売上高の58.9％を占めております。

ダイヤモンドは硬度が最も高いことから、従来から、石材などの硬質材料を切断、研磨する砥石として広く使われており、このための微小（0.3mm以下のもの）なダイヤモンド砥粒（注３）も、従来から一般的に人工合成技術によって作られておりました。一方で、ある程度のサイズを持ったダイヤモンド単結晶は、宝石としては多くの人の目に入るものですが、切削工具や光学部品として、工業用にはごく少量しか使われておりませんでした。最近になって、人工合成手法によって、ダイヤモンド宝石材料を製造する技術が完成し、大量の生産が行われるようになりました。当社のダイヤモンド単結晶は、この製造において重要な役割を果たす種結晶として使用されております。

当社のダイヤモンド単結晶製造技術は、産総研によって基本技術が生み出され、当社がこれを実用化するために、数々の開発を進めてきました。産総研はこの技術について基本的な知的財産権を持っており、当社は「産総研発ベンチャー」としてこれらの知的財産権の独占的実施権を有しています。

(1) 当社の製造技術

①ダイヤモンドの人工合成技術

ダイヤモンドは一般には天然に産するものと考えられていますが、現在使用されている工業用ダイヤモンドのほとんどは人工合成で製作されています。ダイヤモンドの人工合成法は1955年に超高圧合成法が確立し、その後当社が採用する気相合成法を含む他の２種法が登場しました。

この中で気相合成法は、メタンなどの炭素を含んだガスを、何等かの手段で活性化し、1,000℃程度の温度でダイヤモンドを生成する方法であります。1981年に、日本の無機材質研究所（現在の研究開発法人物質材料研究機構）が発表して、その後多くの研究者が取り組んだ手法です。気相合成法とは物質形成手法の一つで、基本的には気相（ガス）から物質が生じる現象を利用します。気相から元素を取り出す方法が２種類あり、物理的な手法（Physical Vapor Deposition ; PVD）と、化学的な手法（Chemical Vapor Deposition ; CVD）の２つに分類されます。この内、CVD法のみでダイヤモンドを生成することができます。

CVD法では、ガスを原料として使用し、温度を上げる方法やその他の手段により、目的の物質を作り出すための反応を促進します。ガスの活性化の手段の一つが放電現象によって発生するプラズマ（注４）であり、プラズマを利用することで、目的の物質を作り出すことが可能であります。当社は、ダイヤモンドを成長させる手段として、プラズマを利用する「プラズマCVD法」を使用しております。

プラズマCVD法以外のいずれの手法でも、金属やセラミックス上にダイヤモンドを形成できますが、その場合は多結晶（非常に小さい単結晶粒子が固まったもの）のダイヤモンドとなります。単結晶のダイヤモンドを生成させるには、ダイヤモンド単結晶の上に成長させることが必要です。ある種のCVD法では、成長したダイヤモンドに、金属などの不純物が結果的に混入してしまう手法があります。当社のダイヤモンドを利用する製品用途では、ほとんどの場合純粋なダイヤモンドを成長させることが必要で、そのために成長させるための成長手法は限定されます。また、厚さ方向への成長速度が速すぎると、結晶が乱れることがあり、成長速度を制御できることも重要な要素です。

不純物の混入がほとんどなく、成長速度を制御できる方法は、プラズマCVD法です。この方法は、反応ガスを放電などで生成するプラズマによって分解するもので、プラズマ生成手段は色々ありますが、当社は、この手段として2.45GHzの電波であるマイクロ波（注５）を採用しております。

各プラズマ発生源（装置）がダイヤモンド成長にとって有効であることは確かめられていますが、安定性と不純物制御の観点から、当社はマイクロ波を選択しています。使用できるマイクロ波の周波数は電波法などで管理されており、2.45GHzもしくは915MHzの周波数の電波を使うことができます。当社は現在、2.45GHzのマイクロ波を使った装置で、ダイヤモンドを成長させています。この装置では、概ね直径約５cmの領域に、ダイヤモンドを形成できることが知られています。この装置の大きな特徴は、長時間の運転を安定して行うことができることや、数mmといった厚いダイヤモンドを製造することができることであります。

②ダイヤモンド単結晶を成長させる技術

単結晶とは、一つの結晶（構成する分子が規則正しく並んでいる状態）でできているもので、天然に産するダイヤモンドはほとんどが単結晶です。多結晶は、微小な単結晶が集まったもので、結晶と結晶の隣り合う部分は結晶粒界と呼ばれ、結晶が乱れた状態になっています。

ダイヤモンド単結晶を、CVD法のダイヤモンドが成長できる条件下に置くと、その上を覆うように単結晶が積み上がってきます。ここでは、成長させるための結晶を「親結晶」と言い、成長した結晶を「子結晶」と称します。成長した子結晶は、成長させた親結晶と同じ原子配列となるので、成長後には一体の単結晶となります。成長装置形状等による限界はありますが、数mmといった厚さまでの成長は、各種の成長装置で実現しています。

単結晶の成長速度は１時間当たり１µm～20µmとされています。つまり、１mm程度の厚さを作るのに、50時間（20µm/時間）～1,000時間（１µm/時間）が必要な成長速度です。成長速度によってでき上がる結晶の特性は変化し、遅い成長速度である程、高品質の結晶が得られます。成長速度が遅ければ、成長に要する製造コストは高くなります。従って、求められる結晶品質によって、成長の条件を選択することが重要です。

気相成長した結晶の品質は、成長速度だけで決まるのではなく、混入する不純物や子結晶を成長させる親結晶の品質によっても左右されます。不純物としては窒素（N）が代表的な元素ですが、成長中の反応ガスに含まれる窒素濃度が変化すれば、広い範囲の結晶品質の変化が見られます。高窒素濃度の成長では、見た目にも黒くなり、結晶品質が悪くなります。また、親結晶に結晶欠陥が多数あると、成長した結晶にこの欠陥が引き継がれます。引き継がれる程度は、成長条件によってある程度制御は可能ですが、一般的にはより良い親結晶を使うことは、より良い子結晶を成長させることになります。また、同じ成長条件で同じ親結晶を使っても、成長前の親結晶の表面が汚れていれば、それが子結晶の品質悪化の原因ともなります。

多くの半導体材料（シリコン、ガリウムひ素、炭化ケイ素等）は、小さな種結晶を成長させて大きくしており、シリコンの場合では30cm（12インチ）の直径を持つ単結晶ウエハも製作できます。ダイヤモンドの気相からの成長では、この様に結晶の面積を拡大する方法は見つかっていません。すなわち、あるサイズの親結晶から成長させても、親結晶のサイズよりそれほど大きくはならず、ただ単に厚さが増すだけです。従って、ダイヤモンド単結晶の成長では、必ず最終的に必要なサイズの親結晶を使う必要があります。

単結晶を大型化するには、結晶の成長方向を変えて、繰り返し成長することが唯一の方法です。当社でも４x４mm程度の小さな元結晶から、成長させる方向を６回ほど変更することで、12x12mm以上の面積を持つ大型単結晶を製作できました。しかし、この手法を使っても、装置内でダイヤモンドが成長できる大きさには限界があり、製作できる形状も限られます。また、複数回の成長を繰り返すため、大型結晶にするには非常に長時間の成長を安定的に行うことが必要です。

2025年２月13日には、以下の写真に示すような、世界最大級の30x30mm単結晶を基板として製品化することに成功しました。この大型単結晶を開発するのには、２年以上の期間を要しました。

　　　　　　　　　　　　　　　　　30x30mmの単結晶ダイヤモンド

このようにして成長したダイヤモンドは、原子の配列が完全なダイヤモンド単結晶であり、不純物を少なく制御できれば、純粋なダイヤモンドとなります。宝石として使用されている天然ダイヤモンドのほとんどは、0.2％程度窒素を含有していますが、上記のように製作したダイヤモンドは、窒素量を0.0001％以下（1ppm）まで制御することが可能です。純粋で結晶欠陥の少ないダイヤモンドほど、宝石としての価値も高くなりますが、高品質が必要となる半導体材料や光学材料としても適した性質を実現しています。

③当社の大型単結晶製造技術

当社は産総研の技術を基にして、板状のダイヤモンド単結晶の量産技術を確立してきました。産総研の開発した大型単結晶の製造技術は、以下の２つの特徴ある技術によって構成されており、その特許を産総研が保有しています。

a.イオン注入法（注６）を用いた、成長した単結晶の親結晶からの分離技術

b.モザイク結晶の製造法（複数の単結晶を接続し、大面積の疑似単結晶を製作する技術）

以下、これらの技術について概要を説明します。

a.イオン注入法を用いた、成長した単結晶の親結晶からの分離技術

上記のように、ダイヤモンド単結晶上にダイヤモンド単結晶を成長させると、一体になった単結晶ができます。親結晶と子結晶は、同じ結晶であるので境界は存在しません。子結晶を親結晶から剥がさなければ、親結晶をもう一度使うことができません。ダイヤモンドの切断は、レーザーによって行うことができるため、成長したダイヤモンドをレーザーによって切り離すことが考えられます。

数mm程度の小型のダイヤモンドをレーザー切断するのは短時間で可能で、大出力のレーザーも必要ありません。切断部分が10x10mmといった大きさになると、レーザーがダイヤモンドに入り込む深さが限定されますので、切断に非常に長時間を要します。このことによって、切断コストが高くなるだけではなく、工業的に切断できる大きさに限界があります。

近年利用が進んできたウォータージェットレーザーを使えば、ある程度大きな結晶を切断することは可能です。しかし、ダイヤモンドデバイス生産で要求されているのが２インチ（５cm）ウエハと呼ばれる円盤状のダイヤモンド単結晶で、この場合は直径５cmを横に切る必要があり、実現はかなり難しいと考えられています。そこでレーザー切断以外の方法で、以下の図に示す成長した結晶を切り離す技術を開発しました。

親結晶からの分離技術

その方法は、イオン注入を用いて、切り離す方法です。イオン注入は、非常に高いエネルギーに加速したイオン（電荷を帯びた分子等）を、物質表面にぶつける手法で、半導体デバイスの製造などで使用されています。この方法で注入したイオンは、表面から侵入して、イオンが止まった部分で結晶を崩し、カーボン状の領域を作ります。しかし、最表面はイオンが通過することができるので、ダイヤモンドの結晶は崩れておらず元の整列した状態を維持できます。どのような深さまで侵入するかは、イオンの種類、イオンの加速エネルギー、注入する相手物質の結晶構造によって異なります。

ダイヤモンドの場合は、C⁺（炭素原子の電子が一つ少ないイオン）を使ってイオン注入することで、不純物混入の心配がなく処理が可能です。１MeV（メガエレクトロンボルト；1,000,000Vの電圧で加速した状態）のC+イオンは約1.2µmの深さに侵入し、その周辺の結晶を崩します。上記のように、これでも最表面はダイヤモンドの結晶が元のきちんとした整列状態を維持しています。

マイクロ波プラズマCVD法で、このイオン注入した結晶の表面にダイヤモンドを成長させると、最表面の結晶が崩れていませんので、ダイヤモンド単結晶が成長できます。所定の厚さまで成長させた後でも、この親結晶と成長した結晶は、離れていません。これを、電気化学的な手法を用いて、結晶が崩れた薄い部分を除去します。そうすると、先に成長したダイヤモンドが親結晶から分離して、板として取り出すことができます。

イオン注入によって結晶が崩れる部分は、わずか１µm程度の薄い層ですので、エッチングによって喪失する部分はごくわずかです。従って、親結晶はこの分離作業が完了した時、イオン注入前の形状で少しだけ薄い状態となります。その表面に再度イオン注入を行って、同じような手順で新たな子結晶を製作することも可能です。分離した子結晶は、基本的には親の結晶と同じ形状で、成長した厚さの板状です。厚さは成長時間で制御できますので、必要な厚さまで成長を行えばいいということです。

この手法は、面積が大きな親結晶を使っても、同じように実現することができます。すなわち、大型の親結晶が製作できれば、その後は、そのサイズを次々に製作できます。デバイスの製作を目指すなら、２インチ（直径５cm）の親結晶を開発できれば、２インチの薄い板が製作できます。

b.モザイク結晶の製造法（複数の単結晶を接続し、大面積の疑似単結晶を製作する技術）

２インチのウエハを作るために、２インチの単結晶を作る必要がありますが、これはまだ実現していません。現在においては、30ｘ30mmの単結晶が最大級の形状であり、２インチにするためにはこれを接続して、２インチの大きさにすることが考えられます。そこで、横方向の接続方法が開発されました。

上記の分離技術を使い、同じ親結晶から複数枚の子結晶を製作します。この子結晶を横に並べ、その上にさらにダイヤモンドを成長させると、複数の子結晶は新たに成長した部分でつながります。このようにして、１個の結晶ではなく、複数個の連結した結晶を得ることが可能です。当社ではこのような連結した結晶のことを「モザイク結晶」と呼んでいます。

モザイク結晶を作る際の問題はモザイク結晶の連結部分の結晶の品質にありました。連結部分はいわゆる結晶粒界になるのですが、この状態が悪くなると、その部分に多結晶ができ、見た目にも黒い線ができます。隣り合わせる結晶は、表面の結晶方位（注７）を合わせなくては、きれいに接続できませんが、それでも微妙な結晶方向の違いが発生するために、境界をきれいにすることは難しいことが知られています。

産総研の開発した技術は、以下の図に示すように、複数個の結晶を同じ親結晶から、上記の技術を使って分離します。

モザイク結晶の製作技術

同じ親結晶から複数個の結晶を作ることで、結晶面の揃った複数個の結晶を得ることができます。これを横に並べ、その上に成長させることによって連結し、境界がきれいなモザイク結晶を得ることができます。以下の図（30x30mmのモザイク結晶の写真）はこのような当社のモザイク結晶の例であります。９個の約10x10mm単結晶が接合され、30x30mmの大きな一つの結晶として扱うことが可能であります。

　30x30mmのモザイク結晶の写真

④生産プロセスへの適用

当社の生産プロセスの全容は、以下の図のとおりであります。

当社の生産プロセス概略図

当社の生産技術で重要なことは、製作したモザイク結晶を使って、親結晶からの分離技術を使い、同じサイズのモザイク結晶を作ることであります。いわばモザイク結晶の複製を続けることで、多くの同じサイズのモザイク結晶を製作しております。結晶粒界の内側は、単結晶であり、その部分を切り取れば、単結晶の製品とすることができます。

モザイク結晶を親結晶として、親結晶からの分離技術によって、比較的薄い板を製作します。製品ごとにダイヤモンドの厚さへの要求は異なりますが、厚い場合はこれを積み増して、所定の厚さとします。

所定の形状への切断は、レーザーで行っています。丸や四角形等の形状を、数10µmの長さ精度で切り出すことができます。製品によっては表面の研磨が必要で、当社はスカイフ（注８）と呼ばれる手法で、10µm程の粒径を持った砥粒を研磨剤として使って研磨しております。

イオン注入を用いて成長した結晶を分離する手法は、個々の単結晶を使っていると、煩雑となるため、当社は複数個の単結晶を接合したモザイク結晶を使用しています。すなわち、上図の親結晶は、10x10mmの単結晶が２～９つ接合したモザイク結晶となります。完成する薄板も、同じように２～９個の単結晶が接合したモザイク結晶を得ることができます。一つ一つの単結晶サイズが大きくなると、単結晶部分の面積が大きくなり、大きい単結晶製品を製作することが可能となります。

親結晶は、複数回使用することが可能ですが、表面状態が悪くなれば、再研磨を行ってきれいな表面に仕上げます。何度かこれを繰り返すことができ、一つの親結晶から20個以上の子結晶を得ることも可能であります。しかし、永久に親結晶を使えると言う訳ではなく、ある程度使用しますと割れたり、大きな欠陥が入ったりしますので、そのような状態になれば、親結晶としての使用を止めます。

親結晶は常にイオン注入する面の状態を、良い状態にすることが必要であります。イオン注入を経て、分離が終わると、新しい子結晶の特性は、親結晶の表面状態の影響を強く受けます。親結晶の管理は、当社製品の特性を良好に保つために、重要な管理項目であります。当社は単結晶製品を大量に製造していますので、このモザイク親結晶を多数保有し、これらを次々に生産プロセスに投入し、分離したモザイク子結晶素材を使って製品を製作しております。

成長はマイクロ波プラズマCVD法と呼ばれる手法で、安定的に良質の単結晶を成長させることができます。成長を薄い状態で止めれば、薄い素材ができます。また、一旦分離した素材をさらに積み増して、厚い素材を作ることもできます。現在のところ、製作できる結晶の厚さや大きさは、以下のような範囲です。

　a.大きさ：１x１mm～38x38mm（モザイク結晶を含む）

　b.厚さ：0.03mm～３mm

モザイク結晶を構成する最大の単結晶は、現時点では15ｘ15mmですので、モザイク結晶から作る単結晶の最大の大きさは15ｘ15mmです。30x30mmの単結晶が開発できましたので、15ｘ15mm～30x30mmについては、モザイク結晶ではなく単結晶を使って製造します。30x30mm以上の大きさの場合は、モザイク結晶を製品としています。

(2) 当社製品の特長

　当社の単結晶は、上述の生産工程に関連して、以下に示すような特長を持っています。

①大型の単結晶

当社は、大型の単結晶を、大量に製造することができます。30ｘ30mmの四角形の単結晶、38x38mmのモザイク結晶を製作できます。単結晶として製品化している30x30mmは世界最大と考えられます。

②板状の形態

ダイヤモンド単結晶は、通常は粒子状です。用途の多くは板状で使用するため、粒子から板を切断によって製作することが求められます。これに対し、当社の単結晶は、元々板状で製作しますので、このような切断工程が必要ありません。このために、板状の製品を製作するコストが安くなります。

③広い厚さ範囲

当社の生産プロセスにおいて、成長させる結晶が薄いうちに（短時間で）成長を止めれば、薄板を製作できます。一方、ある程度の厚さの板を作った後で、追加の成長を行えば厚板ができます。当社の生産手法は、板厚に対する制限がほとんどないところが特徴で、板厚0.03～３mmまでの２桁の範囲の製品を生産することが可能です。

④様々な仕様の基板

ダイヤモンドデバイスの研究開発は、未だ基礎的な研究段階です。このため、研究者ごとに必要な基板が異なりますが、当社はこれに対応できる様々な仕様の基板を製品化しています。高品質の基板、半導体層を通常の基板上に形成したエピタキシャル成長基板、表面の結晶面を特定したもの、結晶面を少し傾けた基板等々を生産することができます。

＜用語解説＞

４【経営者による財政状態、経営成績及びキャッシュ・フローの状況の分析】

(1）経営成績等の状況の概要

当社グループの財政状態、経営成績及びキャッシュ・フロー（以下「経営成績等」という。）の状況の概要は次のとおりであります。

なお、当社グループは、当連結会計年度より連結財務諸表を作成しております。従いまして、前連結会計年度との比較分析は行っておりません。

また、文中の将来に関する事項は、当連結会計年度末現在において当社グループが判断したものであります。

①経営成績の状況

　当連結会計年度における世界経済は、ウクライナやパレスチナでの紛争が継続し、シリアでは反政府勢力によって政権転覆が起こりました。米国大統領選挙においてはトランプ氏が当選し、第２期目として米国第一主義を推進するために、関税政策の大幅な変更と、これを交渉材料にした外交政策が進められ、世界情勢を一変させました。

　特に、従来からの友好国との貿易関係について、米国の貿易赤字を減少させることを各国に要求することで、冷戦終了後の世界の政治情勢そのものを根底から覆すこともあり得ることを予感させられました。

　関税政策変更の影響の大きさから、為替や金利の変動幅が大きくなり、これに伴って株式市場も変調をきたしました。関税が大幅に上がることで、米国物価が一層上昇するとの予想もあって、比較的順調に推移してきた米国経済の先行きも、憂慮すべき事象が増加し、消費の先行きにも影を落とす可能性が出てきました。

　当連結会計年度の前半は、米国景気が好調を維持し、米国の株価が高止まり傾向となり、ドル円の為替レートは円安方向に振れました。国内の株価も高止まり傾向で、物価上昇が続きましたので、日本銀行はこれまでの金融政策の方針を変更し、2024年３月にマイナス金利政策を終了させ、政策金利を引き上げました。年度末近くになって上記の経済情勢から円高方向に振れ、物価動向も見通しが難しくなりました。米国の関税政策によっては、日本経済が大幅な景気後退に襲われる可能性も出てきた点が、今後の懸案事項と考えております。

　当社グループ製品の主要なビジネス分野であるLGD（Laboratory Grown Diamond：人工宝石）市場は、当連結会計年度においても引き続き規模が拡大しております。米国ではLGDのダイヤモンド宝石市場におけるシェアが50%を超えているとの報道もあり、いよいよ本格的なLGD市場形成が進むと見られます。

　しかし、2023年３月期終盤から、特に小型宝石の供給過剰が発生し、そのことによってLGDの価格の下落傾向が大きくなり、その影響は天然ダイヤモンドの価格下落をもたらしました。LGDの価格が同じグレードの天然ダイヤモンドの価格の15％程度といった低価格で取引される事例が見られるなど、LGDの大幅な価格下落によって採算割れを起こしたと見られる一部の企業は倒産などの事業撤退に追い込まれ、一部は生産工場の操業を停止する事態になりました。特に小型宝石を中心に製造していた企業は、困難な状態が顕著に現れています。大手企業も例外ではなくその米国LGD工場の操業停止や、欧州企業の債務整理開始、といったニュースが飛び込んできました。多くのLGD製造企業が集積しているインド・スーラット市や、イスラエルでも有力企業の倒産が発生しました。

　また、LGDメーカーが種結晶を自家生産する動きがさらに拡大し、インド及び中国の種結晶メーカーが、安価で大型の種結晶を供給し始めております。このような情勢から、種結晶価格は低位のまま推移いたしましたので、当社グループの種結晶の一部について収益性が悪化しました。また、小型宝石から高価な大型宝石へ軸足を移す動きが顕著となり、求められる種結晶のサイズは12x12mm以上の割合が大幅に増加しております。特に、15x15mm種結晶の需要が大幅に増加し、当社グループとしてもその生産体制を強化しております。

　こうした状況下、当社グループは、2024年11月28日に公表いたしました「2025年３月期中間期決算説明資料」及び2025年２月21日に公表いたしました「2025年３月期第３四半期決算説明資料」で示しましたとおり、＜EDPは変わります＞と宣言し、種結晶偏重のビジネス形態からの離脱をテーマに、抜本的な事業構造改革に取り組んでまいりました。具体的には、種結晶偏重という事業構造から脱却し、LGD分野では、種結晶から宝石までの関連製品を取り扱うこととしました。また、デバイス分野への取り組みでは、とりわけ大型ウエハの実用化に向けた開発体制を強化しました。

　当社グループは既に公表しましたとおり、2024年１月にエス・エフ・ディー株式会社（以下、「SFD」という。）を設立し、宝石の製造・販売企業としての事業開始準備をすすめ、各種の宝石の試作を行いました。また、SFD India Private Limited（以下、「SFD India」という。）をインド・スーラット市に設立し、業務を遂行するための体制を整えてきました。

　当社グループでは宝石製作の原料となる原石製作について、当連結会計年度において鋭意取り組んでまいりました。その結果、当社グループの保有する大型単結晶を利用した高品質の原石生産が可能となりました。これらの原石を宝石に加工した結果からも、有効性が確認されました。

　SFDは既に当社で生産した原石を購入し、これを海外の委託先において加工し、宝石としての完成品を保有しております。また、当面販売するために市場から宝石購入したものを、在庫の一部として保有し、ごく一部の宝石は国内で販売を行いました。

　また、当連結会計年度においては、世界各国でダイヤモンドデバイスの開発が活発化し、各国が競ってこの開発に資金を投入する状況になりました。基板等の売上は2024年３月期に大幅に売上が増加いたしましたが、当連結会計年度においても増加傾向は変わりませんでした。また、デバイス開発を軌道に乗せるための２インチウエハの実用化に結び付く、30x30mm単結晶の開発を進め、2025年２月13日に当該サイズの基板の製品発売をいたしました。活発化している量子デバイス向けの低窒素(111)基板も発売し、エピタキシャル基板についても各ユーザーの要望に沿う形で多種類の構造を出荷できるようになりました。

　このように、ダイヤモンドデバイス開発の進展を受けて、いよいよ本格的にダイヤモンドデバイスに向けた素材の市場が形成される時期が近づいており、当社グループは大型ウエハの実用化までの技術ロードマップを「2025年３月期中間期決算説明資料」及び「2025年３月期第３四半期決算説明資料」に開示し、当該技術ロードマップに沿った開発を進めております。半導体デバイスの製造プロセスを利用するためには、２インチウエハ（直径50mmの円盤状）より大型のウエハを使用することが必要です。この実現のためには、25x25mm以上の単結晶を４個接合したモザイク結晶（50x50mm以上の面積）を開発する必要があります。2025年２月13日に発売した、30x30mm単結晶が、その開発のキーとなる素材で、2025年12月末を２インチウエハの開発期限の目標として、取り組んでまいります。２インチウエハの実現のために、単に素材製作だけでなく研磨技術や成長装置の大面積化についても並行して開発に取り組んでおります。２インチ以上のウエハを使ったデバイスの量産に向けて、生産体制を整備して、ユーザーのニーズに適合したウエハを商品化していくことが重要となっており、これらに対する開発投資も行いました。

　以上のような宝石の製品化や、大型ウエハの実用化に向けて、生産ならびに開発設備投資が必要と判断し、2024年９月に新株予約権による資金調達を開始いたしました。当連結会計年度末までに、853,014千円を調達いたしました。さらに、新たに銀行融資により、事業構造改革、開発投資を進めるための資金を厚めに手当ていたしました。一部の設備につきましては、当連結会計年度に購入を開始いたしましたが、引き続き宝石やウエハの生産体制の確立に向けて投資を行っていく計画です。

　2024年３月期において当社は市況の急激な変化から、種結晶や素材の在庫が膨らんでおりました。当連結会計年度においては、種結晶の価格下落の影響もあって、利益率が大幅に低下しました。さらに在庫の製品や素材は、在庫評価損を計上しましたので、大幅な損失が発生しました。

　また、当連結会計年度においては、事業環境の変化を考慮し、当社グループの固定資産の帳簿価額を回収可能価額まで減額し、当該減少額として減損損失1,300,371千円を計上いたしました。

　上記から、当連結会計年度の連結損益計算書上、大きな損失を計上することとなりましたが、キャッシュ・フローは資金調達が進んだこともあって堅調に推移しており、最終的には大幅なプラスとなっております。

　以上の結果、当連結会計年度の経営成績は、売上高は902,729千円、営業損失は976,294千円、経常損失は989,231千円、親会社株主に帰属する当期純損失は2,306,367千円となりました。

　また、当連結会計年度の製品種類別売上高は、種結晶が531,811千円、基板及びウエハは329,712千円、光学部品及びヒートシンクは14,688千円、工具素材は26,162千円、宝石は355千円となりました。

　なお、当社グループはダイヤモンド単結晶の製造、販売、開発事業の単一セグメントであるため、セグメント別の記載を省略しております。

②財政状態の状況

(資産)

当連結会計年度末における流動資産は2,721,889千円となりました。その主な内訳は、現金及び預金が1,441,911千円、商品及び製品が383,532千円、仕掛品が600,691千円となっております。固定資産は1,655,877千円となりました。その主な内訳は、有形固定資産が1,551,463千円となっております。

この結果、総資産は4,377,766千円となりました。

(負債)

当連結会計年度末における流動負債は354,000千円となりました。その主な内訳は、１年内返済予定の長期借入金が155,700千円、未払金が85,640千円となっております。固定負債は604,896千円となりました。その主な内訳は、長期借入金が470,180千円、資産除去債務が104,394千円となっております。

この結果、負債合計は958,897千円となりました。

(純資産)

当連結会計年度末における純資産合計は3,418,869千円となりました。その主な内訳は、資本金が1,936,735千円、資本剰余金が2,466,335千円、利益剰余金が△983,645千円となっております。

③キャッシュ・フローの状況

当連結会計年度末における現金及び現金同等物（以下「資金」という。）は1,441,911千円となりました。

当連結会計年度における各キャッシュ・フローの状況とそれらの要因は次のとおりであります。

(営業活動によるキャッシュ・フロー)

当連結会計年度における営業活動の結果使用した資金は516,715千円となりました。主な獲得要因として減価償却費が459,336千円、減損損失が1,300,371千円あったものの、主な使用要因として税金等調整前当期純損失が2,291,460千円あったこと等によるものであります。

(投資活動によるキャッシュ・フロー)

当連結会計年度における投資活動の結果使用した資金は77,962千円となりました。これは主に固定資産の取得による支出が45,786千円、非連結子会社株式の取得による支出が32,175千円あったことによるものであります。

(財務活動によるキャッシュ・フロー)

当連結会計年度における財務活動の結果獲得した資金は1,249,065千円となりました。これは主に長期借入れによる収入が500,000千円、新株予約権の行使による株式の発行による収入が849,070千円あったこと等によるものであります。

④生産、受注及び販売の実績

a．生産実績

当社グループはダイヤモンド単結晶の製造、販売、開発事業の単一セグメントであります。当連結会計年度における生産実績は以下のとおりであります。

　（注）１．金額は製造原価によっております。

　　　　２．当社グループの売上高及び生産高は、ダイヤモンド単結晶の製造のための設備の規模（生産能力）に依存します。なお、当連結会計年度の当社の生産能力（カラットベース）は、以下のとおりであります。

　　　　３．当連結会計年度より連結財務諸表を作成しているため、前年同期比については記載しておりません。

b．受注実績

　当社グループはダイヤモンド単結晶の製造、販売、開発事業の単一セグメントであります。当連結会計年度における製品種類別の受注実績は以下のとおりであります。

　（注）当連結会計年度より連結財務諸表を作成しているため、前年同期比については記載しておりません。

ｃ．販売実績

　当社グループはダイヤモンド単結晶の製造、販売、開発事業の単一セグメントであります。当連結会計年度における製品種類別の販売実績は、以下のとおりであります。

　（注）１．当連結会計年度の主な相手先別の販売実績及び当該販売実績の総販売実績に対する割合は以下のとおりであります。

２．当社グループは、大型のダイヤモンド単結晶を大量に製造することができますが、当社グループの主要な製品である種結晶について、人工宝石市場における種結晶の大型化のニーズが増大しております。なお、当連結会計年度におけるサイズ別の種結晶の出荷割合（出荷個数ベース）は以下のとおりであります。

３．当連結会計年度より連結財務諸表を作成しているため、前年同期比については記載しておりません。

(2) 経営者の視点による経営成績等の状況に関する認識及び分析・検討内容

経営者の視点による当社グループの経営成績等の状況に関する認識及び分析・検討内容は、次のとおりであります。

なお、文中の将来に関する事項は、本書提出日現在において判断したものであります。

①重要な会計上の見積り及び当該見積りに用いた仮定

当社グループの連結財務諸表は、我が国において一般に公正妥当と認められる企業会計の基準に基づき作成されております。この連結財務諸表を作成するにあたり重要となる会計方針については「第５　経理の状況　１　連結財務諸表等　(1)連結財務諸表　注記事項（連結財務諸表作成のための基本となる重要な事項）」に記載のとおりであります。

また、連結財務諸表の作成にあたって用いた会計上の見積り及び当該見積りに用いた仮定のうち、重要なものについては、「第５ 経理の状況　１　連結財務諸表等　(1)連結財務諸表　注記事項（重要な会計上の見積り）」に記載のとおりであります。

②経営成績等の状況に関する認識及び分析・検討内容

　経営成績等の状況に関する認識及び分析・検討内容については、「(1) 経営成績等の状況の概要」に含めて記載しております。

a．経営成績に重要な影響を与える要因

当社グループの事業に重要な影響を与える要因の詳細につきましては、「第２ 事業の状況３ 事業等のリスク」に記載のとおりであります。

b．資本の財源及び資金の流動性

　当社グループの資金需要のうち主なものは、ダイヤモンド単結晶の製造のための設備投資、研究開発費、人件費等の営業費用であります。

　当社グループは、事業運営上必要な流動性と資金の源泉を安定的に確保することを基本方針としております。

　当社グループは、日常の運転資金については自己資金で賄い、自己資金では賄えない設備投資資金等については金融機関からの長期借入で賄うとともに、資本での調達を検討することとしております。

　なお、当連結会計年度末における借入金の残高は625,880千円であり、当連結会計年度末における現金及び現金同等物の残高は1,441,911千円であります。

c．経営方針・経営戦略、経営上の目標の達成状況を判断するための客観的な指標等

　当社グループは、経営上の目標の達成状況を判断するための成長性を判断する客観的な指標として、①売上高成長率、②経常利益率、③ROE、④自己資本比率を重視しております。

　なお、当連結会計年度より連結財務諸表を作成しているため、前年同期比については、記載しておりません。

①当連結会計年度における売上高成長率は、当連結会計年度より連結財務諸表を作成しているため、前年同期比については、記載しておりません。

売上高成長率は、当社グループの成長性や事業進捗のペースを表す指標として、重視しております。

当社グループの事業進捗において、設備投資及び研究開発活動が重要ですが、設備投資及び研究開発活動の結果が売上高に結びつくことが必要であるため、売上高成長率の確保に努めてまいります。

②当連結会計年度における経常利益率は、△109.6％となっております。

経常利益率は、当社グループの売上高に対する収益性を表す指標として、重視しております。

当社グループの事業進捗及び競争優位性の確保にとって、設備投資及び研究開発活動が重要ですが、そのための長期的な資金として自己資金を継続的に確保することが必要であるため、一定の経常利益率の確保に努めてまいります。

③当連結会計年度におけるROEは、△67.5％となっております。

　ROEは、当社グループの投下資本に対する収益性を表す指標として、重視しております。

また、研究開発活動により、ダイヤモンド単結晶の新たな用途を開拓することにより事業領域の拡大を図ってまいります。具体的には、大型単結晶の開発、ダイヤモンド半導体デバイス開発に必要な素材の開発や光学部品として必要な高品質結晶の開発を推進してまいります。

④当連結会計年度の自己資本比率は、78.0％となっております。

　当社グループの事業進捗にとって設備投資は重要ですが、財務の健全性を保つためには、自己資本比率を50％以上に保ちたいと考えております。過度な借入を行うことがないよう、キャッシュ・フローにも注意を払っております。

（セグメント情報等）

【セグメント情報】

　当社グループは、ダイヤモンド単結晶の製造、販売、開発事業の単一セグメントであるため、記載を省略しております。

【関連情報】

当連結会計年度（自　2024年４月１日　至　2025年３月31日）

１．製品及びサービスごとの情報

２．地域ごとの情報

(1）売上高

（注）売上高は顧客の所在地を基礎とし、国別に分類しております。

(2）有形固定資産

　本邦に所在している有形固定資産の金額が連結貸借対照表の有形固定資産の金額の90％を超えるため、記載を省略しております。

３．主要な顧客ごとの情報

【報告セグメントごとの固定資産の減損損失に関する情報】

　当社グループは、ダイヤモンド単結晶の製造、販売、開発事業の単一セグメントであるため、記載を省略しております。

【報告セグメントごとののれんの償却額及び未償却残高に関する情報】

該当事項はありません。

【報告セグメントごとの負ののれん発生益に関する情報】

該当事項はありません。