キオクシアホールディングス

285A 東証プライム電気機器

2025年3月期有価証券報告書より

沿革

２【沿革】

　当社は、東芝メモリ株式会社（現キオクシア株式会社）からの単独株式移転により、2019年３月１日に設立されました。当社は2019年10月１日に東芝メモリホールディングス株式会社からキオクシアホールディングス株式会社に社名を変更しました。

　東芝メモリ株式会社（以下「旧東芝メモリ株式会社」という。）は、2017年２月に株式会社東芝の100％子会社として設立後、株式会社東芝の社内カンパニーであるストレージ＆デバイスソリューション社のメモリ事業（フラッシュメモリ及び関連製品（SSD事業を含み、イメージセンサ事業を除く。））を会社分割により承継しました。旧東芝メモリ株式会社は、2018年８月１日に親会社である株式会社Pangeaを合併存続会社とする吸収合併を実施するとともに、株式会社Pangeaは東芝メモリ株式会社に社名変更しました。更に、2019年10月１日の当社の社名変更に伴い、社名をキオクシア株式会社に変更しました。キオクシアとは、日本語の「記憶（KIOKU）」と、ギリシャ語の「価値（AXIA）」に由来します。メモリ事業を担う企業グループとして、デジタル社会の未来を加速し、世界に新たな価値を創造していきます。

　以下では、旧東芝メモリ株式会社及びキオクシア株式会社の沿革についても記載しております。また、旧東芝メモリ株式会社設立前と設立以後に分けて記載し、設立前については株式会社東芝における旧東芝メモリ株式会社の事業に関係する事項について参考情報として記載しています。

　当社の事業運営主体の変遷を図示すると、次のようになります。

(1）旧東芝メモリ株式会社設立前（参考情報）

年月	概要
1987年４月	世界初のNAND型フラッシュメモリを発明
1991年４月	フラッシュメモリを量産
1992年１月	四日市工場（三重県）を設立
2000年５月	Sandiskグループ（注１）とフラッシュメモリについて協業を開始
2001年11月	多値技術を利用した160ナノメートル（以下「nm」という。）１ギガビットNAND（２ビット／セル(MLC)）を製品化
2001年12月	汎用DRAM事業の撤退を決定
2002年４月	四日市工場でフラッシュメモリを生産するため、Sandiskグループと共同出資でフラッシュビジョン㈲（注２）を設立
2005年２月	四日市工場で300 mmクリーンルームである第３製造棟を稼動
2007年６月	３次元フラッシュメモリ技術（注３）を開発
2007年９月	四日市工場第４製造棟の竣工
2009年２月	４ビット／セル（QLC）をSandiskグループと共同開発
2011年７月	㈱東芝の社内カンパニーとして、セミコンダクター＆ストレージ社（メモリ・SSD事業含む）を設置
	四日市工場第５製造棟の竣工
2014年４月	15 nmプロセスを用いた128ギガビットNAND型フラッシュメモリを量産
2015年３月	48層積層プロセスを用いたBiCS FLASH™のサンプル出荷開始
2016年４月	社内カンパニー名をストレージ＆デバイスソリューション社に変更

年月	概要
2016年７月	四日市工場の新第２製造棟の竣工
	64層積層プロセスを用いた第３世代BiCS FLASH™のサンプル出荷開始
2017年１月	メモリ事業分社化の方針決定
2017年２月	64層積層プロセスを用いた512ギガビットBiCS FLASH™のサンプル出荷開始

　（注）１．2000年にSanDisk Corporationと協業を開始しました。同社はWestern Digitalグループと統合後、SanDisk Limited Liability Companyに組織変更しました。

2025年２月、Western Digitalグループのフラッシュメモリ事業が分社してSandisk Corporationとして米Nasdaqに上場しました（以下Sandisk Corporationとその関係会社を合わせて「Sandiskグループ」という。）。この分社に伴い、フラッシュメモリ事業に係る資産や契約等はSandiskグループが承継し、その一環として、当社との契約や製造合弁会社の持分等もSandiskグループが承継しました。

　　　　２．同社は2013年２月に清算しております。

３．３次元フラッシュメモリ技術とは、垂直方向にフラッシュメモリ素子を積み上げる３次元積層構造を取り入れる技術をいい、それを取り入れたフラッシュメモリを３次元フラッシュメモリといいます。３次元フラッシュメモリは、従前の平面構造のフラッシュメモリと比べて大容量化、高速化、信頼性向上、省電力化を実現しております。

(2）旧東芝メモリ株式会社設立以後

年月	概要
2017年２月	㈱東芝のメモリ・SSD事業の承継を目的として、旧東芝メモリ㈱を設立
2017年４月	㈱東芝から、㈱東芝の社内カンパニーであるストレージ＆デバイスソリューション社のメモリ事業（SSD事業を含み、イメージセンサ事業を除く）を会社分割により承継
2017年４月	㈱東芝からの株式譲受により、国内会社３社（注１）海外会社３社（注２）を関係会社化
2017年５月	64層積層プロセスを用いたBiCS FLASH™を搭載したNVMe™（注３）SSD（「ＸＧ５シリーズ」）の出荷を開始
	香港地域でのメモリ製品拡販を目的として、東芝メモリアジア社（現キオクシアアジア社）を設立
	北米及び南米地域でのメモリ製品拡販を目的として、東芝メモリアメリカ社（現キオクシアアメリカ社）を設立
2017年６月	４ビット／セル（QLC）技術を用いたBiCS FLASH™を開発、試作品の提供開始
	96層積層プロセスを適用した第４世代BiCS FLASH™を試作
	シリコン貫通電極（TSV）技術を適用した３ビット／セル（TLC）のBiCS FLASH™の試作品の提供開始
2017年７月	欧州地域でのメモリ製品拡販を目的として、東芝エレクトロニクス・ヨーロッパ社（注４）が東芝メモリヨーロッパ社（現キオクシアヨーロッパ社）を設立
	連結子会社である東芝メモリアジア社が東芝エレクトロニクス・アジア社（注４）よりメモリ関連事業を譲受
	ASEAN地域でのメモリ製品拡販を目的として、東芝メモリシンガポール社（現キオクシアシンガポール社）を設立
	韓国地域でのメモリ製品拡販を目的として、東芝メモリ韓国社（現キオクシア韓国社）を設立
2017年８月	64層積層プロセスを用いたBiCS FLASH™を搭載した業界初のエンタープライズSSD（「ＰＭ５シリーズ」「ＣＭ５シリーズ」）のサンプル出荷開始
2017年９月	中国地域でのメモリ製品拡販を目的として、連結子会社の東芝エレクトロニクス（中国）社（現キオクシア中国社）が東芝電子部品（上海）社を設立
	連結子会社である東芝メモリ韓国社（現キオクシア韓国社）が東芝エレクトロニクス韓国社（注４）よりメモリ関連事業を譲受
	岩手県北上市の北上工業団地エリアに新規拠点の立ち上げを発表

年月	概要
2017年10月	東芝エレクトロニクス・ヨーロッパ社（注４）から、東芝メモリヨーロッパ社（現キオクシアヨーロッパ社）の全持分を取得し連結子会社化
	東芝メモリアメリカ社（現キオクシアアメリカ社）が東芝アメリカ電子部品社（注４）よりメモリ関連事業を譲受
	東芝電子部品（上海）社が東芝エレクトロニクス（中国）社よりメモリ関連事業を譲受
	東芝メモリシンガポール社（現キオクシアシンガポール社）が東芝エレクトロニクス・アジア社（注４）よりメモリ関連事業を譲受
	東芝メモリアメリカ社（現キオクシアアメリカ社）による東芝アメリカ電子部品社からのメモリ関連事業の譲受及び東芝メモリヨーロッパ社（現キオクシアヨーロッパ社）の連結子会社化に伴い、SSD関連事業を目的とするOCZイスラエル（現キオクシアイスラエル社）、OCZストレージソリューションズ（現キオクシアテクノロジーUK社）を連結子会社化
2017年11月	東芝メモリ台湾社（現キオクシア台湾社）の株式を東芝デバイス＆ストレージ㈱（注４）より取得し連結子会社化
2017年12月	岩手県北上市における製造拠点の立ち上げに向けて、東芝メモリ岩手㈱（現キオクシア岩手㈱）を設立
2018年１月	㈱東芝からの株式譲受により、フラッシュアライアンス有限会社、フラッシュフォワード合同会社、フラッシュパートナーズ有限会社の３社（以下「製造合弁会社３社」という。）（注５）を関連会社化
	旧東芝メモリ㈱グループの開発センター清掃業務及びヘルスキーパーを目的として、東芝メモリエトワール㈱（現キオクシアエトワール㈱）を設立
2018年４月	64層積層プロセスを用いたBiCS FLASH™を搭載したデータセンター向けSSDのラインアップ拡充
2018年６月	㈱東芝は、旧東芝メモリ㈱の全株式をBain Capital Private Equity, L.P.（そのグループを含む）を軸とする企業コンソーシアムにより組成される買収目的会社である㈱Pangeaへ譲渡
2018年７月	サーバー向けの新しいコンセプトのSAS SSDの発売
2018年８月	㈱Pangeaは、同社を存続会社として旧東芝メモリ㈱と合併し、同日に「東芝メモリ㈱」に社名変更（現キオクシア㈱）
2018年９月	四日市工場の第６製造棟とメモリ開発センターの竣工

　（注）１．東芝メモリアドバンスドパッケージ株式会社（2019年10月にキオクシアアドバンスドパッケージ株式会社に商号変更を実施、2021年４月にキオクシア株式会社に吸収合併）、東芝メモリシステムズ株式会社（現キオクシアシステムズ株式会社）（いずれも連結子会社）、ディー・ティー・ファインエレクトロニクス株式会社（持分法適用関連会社）の３社です。

２．東芝エレクトロニクス中国社（現キオクシア中国社）、東芝メモリ半導体台湾社（現キオクシア半導体台湾社）、他１社の３社です。

３．NVMe™はNVM Express, Inc.の商標です。

４．株式会社東芝の関係会社です。

５．当社グループへの製造委託等を目的とする、キオクシア株式会社とSandiskグループが共同出資する会社です。

(3）当社設立以後

年月	概要
2019年３月	東芝メモリ㈱（現キオクシア㈱）からの単独株式移転により、東芝メモリホールディングス㈱（現キオクシアホールディングス㈱）を設立
2019年５月	大容量データへの高速アクセスに対応した２テラバイトのクライアントSSDプレミアムモデル（XG6-P）の開発
2019年６月	㈱日本政策投資銀行に対する非転換社債型優先株式の発行及び金融機関からのシンジケートローンによる資金調達を実行
2019年８月	ストレージクラスメモリ「XL-FLASH™」のサンプル出荷開始
	新しいリムーバブルPCIe®（注１）／NVMe™メモリデバイス「XFMEXPRESS™」を開発
	台湾・LITE-ON社のSSD事業の買収計画を公表
2019年10月	ブランド名称をキオクシアに刷新したことに伴い、当社を含むグループ会社の社名変更（注２）
	キオクシア㈱北上工場（岩手県）第１製造棟の竣工

年月	概要
2020年１月	112層積層プロセスを適用した第５世代BiCS FLASH™を試作
2020年３月	キオクシア㈱は、東芝中国社（注３）より、キオクシア中国社の株式を譲受、完全子会社化
	キオクシア㈱は、東芝電子部品（上海）社の保有株式を全て東芝デバイス＆ストレージ㈱（注３）に売却
2020年７月	キオクシア㈱は、台湾・LITE-ONテクノロジー社の子会社であるSolid State Storage Technology Corporationとその関係会社の全株式を取得
2021年２月	162層積層プロセスを適用した第６世代BiCS FLASH™を試作
2021年４月	キオクシア㈱は、キオクシアアドバンスドパッケージ㈱を吸収合併
2021年９月	PCIe® 4.0対応ストレージクラスメモリ（SCM）搭載SSDをサンプル出荷
2022年１月	４ビット／セル（QLC）技術を用いたUFS Ver. 3.1準拠の組み込み式フラッシュメモリをサンプル出荷
2022年６月	キオクシア㈱は、東芝デジタルソリューションズ㈱（注３）より、中部東芝エンジニアリング㈱の株式を譲受、完全子会社化、キオクシアエンジニアリング㈱に社名変更
2022年10月	四日市工場第７製造棟の竣工
2022年11月	大容量ストレージを活用した記憶検索型AIによる画像分類技術を開発
2023年３月	218層積層プロセスを適用した第８世代BiCS FLASH™を試作
2023年６月	横浜テクノロジーキャンパスFlagship棟と新子安テクノロジーフロントの稼働開始
2023年８月	キオクシアエネルギー・マネジメント㈱をキオクシア㈱からの会社分割により設立
	エンタープライズ・データセンター向けPCIe® 5.0対応NVMe™ SSDのサンプルを出荷
2024年１月	車載機器向けUFS Ver.4.0準拠の組み込み式フラッシュメモリのサンプルを出荷
2024年４月	メモリ技術研究所を再編し、先端技術研究所を新設
2024年７月	第８世代BiCS FLASH™ 2Tb QLC製品をサンプル出荷
	北上工場第２製造棟の建屋完成
2024年12月	東京証券取引所プライム市場に株式を上場
2025年２月	4.8Gb／秒のNANDインターフェーススピードを実現する３次元フラッシュメモリ技術を発表

　（注）１．PCIe®は、PCI-SIGの登録商標です。PCIe®とは、SSDのインターフェースの規格で、従来のSATAより、高速のデータ転送が可能です。

２．キオクシアテクノロジーUK社は2019年７月、キオクシアイスラエル社は2019年８月、キオクシア中国社は2020年２月にそれぞれ社名変更となっております。

３．株式会社東芝の関係会社です。

関係会社

４【関係会社の状況】

（2025年３月31日時点）

名称	住所	資本金	主要な事業の内容	議決権の所有又は被所有割合（％）	関係内容
名称	住所	資本金	主要な事業の内容	議決権の所有又は被所有割合（％）	役員の兼任等	営業上の取引他
（連結子会社）
キオクシア㈱（注１、２）	東京都港区	10,000 百万円	メモリ・SSD製品の研究、開発、設計、製造及び販売等	100.0	有	資金の貸付経営指導
キオクシア岩手㈱（注３）	岩手県北上市	10 百万円	メモリ製品の製造	100.0 [100.0]	無	なし
キオクシアエンジニアリング㈱（注３）	愛知県名古屋市西区	200 百万円	メモリ製品の開発、設計、製造及びCIM開発等のエンジニアリング業務受託	100.0 [100.0]	無	なし
キオクシアエネルギー・マネジメント㈱（注３）	三重県四日市市	10 百万円	エネルギーマネジメント事業	100.0 [100.0]	無	なし
キオクシアシステムズ㈱（注３）	神奈川県横浜市栄区	100 百万円	メモリ製品の設計・開発、顧客サポート等	100.0 [100.0]	無	なし
キオクシアエトワール㈱（注３）	三重県四日市市	20 百万円	開発センター清掃業務、ヘルスキーパー	100.0 [100.0]	有	なし
キオクシアアメリカ社（注１、２、３）	米国カリフォルニア州	－	メモリ・SSD製品の販売	100.0 [100.0]	有	なし
キオクシアヨーロッパ社（注３）	ドイツノルトラインヴェストファーレン州	25 千ユーロ	メモリ・SSD製品の販売	100.0 [100.0]	無	なし
キオクシアテクノロジーUK社（注３）	英国オックスフォードシャー州	1 ポンド	SSD製品の開発	100.0 [100.0]	有	なし
キオクシアイスラエル社（注３）	イスラエルテルアビブ	3,555 千新シェケル	SSD製品向けソフトウェアの開発	100.0 [100.0]	有	なし
キオクシアアジア社（注３）	中国香港	1,000 千香港ドル	メモリ・SSD製品の販売	100.0 [100.0]	有	なし
キオクシア中国社（注１、３）	中国上海	58,363 千人民元	メモリ・SSD製品の販売	100.0 [100.0]	有	なし
キオクシア韓国社（注３）	韓国ソウル市	3,000 百万ウォン	メモリ・SSD製品の販売	100.0 [100.0]	有	なし
キオクシアシンガポール社（注３）	シンガポール国シンガポール	1,500 千米ドル	メモリ・SSD製品の販売	100.0 [100.0]	無	なし
キオクシア台湾社（注１、３）	台湾台北市	3,066,657 千台湾ドル	メモリ・SSD製品の販売	100.0 [100.0]	有	なし

名称	住所	資本金	主要な事業の内容	議決権の所有又は被所有割合（％）	関係内容
名称	住所	資本金	主要な事業の内容	議決権の所有又は被所有割合（％）	役員の兼任等	営業上の取引他
キオクシア半導体台湾社（注３）	台湾台北市	28,000 千台湾ドル	メモリ後工程における生産外注委託品の生産管理	100.0 [100.0]	有	なし
Solid State Storage Technology Corporation （注１、３）	台湾台北市	2,925,704 千台湾ドル	SSD製品の製造、販売及び研究開発	100.0 [100.0]	有	なし
その他　５社（注１）
（関連会社等）
フラッシュパートナーズ㈲（注３、４）	三重県四日市市	50 百万円	メモリ製品製造委託及び当社グループ等への製品販売	50.1 [50.1]	有	なし
フラッシュアライアンス㈲（注３、４）	三重県四日市市	3 百万円	メモリ製品製造委託及び当社グループ等への製品販売	50.1 [50.1]	有	なし
フラッシュフォワード合同会社（注３、４）	三重県四日市市	10 百万円	メモリ製品製造委託及び当社グループ等への製品販売	50.1 [50.1]	有	なし
ディー・ティー・ファインエレクトロニクス㈱（注３）	神奈川県川崎市幸区	490 百万円	半導体製造用フォトマスクの製造及び販売	35.0 [35.0]	有	なし
その他　２社
（その他の関係会社）
㈱東芝（注５）	東京都港区	201,449 百万円	電気機械器具製造業	(30.5)	無	なし
（その他の関係会社の親会社）
TBJH㈱（注３、５）	東京都千代田区	50 百万円	有価証券の取得及び保有等	(30.5) [30.5]	無	なし
TBJホールディングス㈱（注３、５）	東京都千代田区	50 百万円	有価証券の取得及び保有等	(30.5) [30.5]	無	なし

　（注）１．特定子会社に該当します。なお、（連結子会社）その他に含まれる会社のうち特定子会社に該当する会社は、横浜大船特定目的会社です。

２．キオクシア株式会社、キオクシアアメリカ社については、売上高（連結会社相互間の内部売上高を除く。）の連結売上収益に占める割合が10％を超えています。

キオクシア株式会社

の主要な損益情報等　①　売上高　　　　1,629,533百万円

②　営業利益　　　　335,177百万円

③　経常利益　　　　297,010百万円

④　当期純利益　　　261,301百万円

⑤　資産合計　　　2,112,401百万円

⑥　純資産合計　　　726,542百万円

キオクシアアメリカ社

の主要な損益情報等　①　売上高　　　　　763,986百万円

②　営業利益　　　　　4,439百万円

③　経常利益　　　　　5,644百万円

④　当期純利益　　　　4,638百万円

⑤　資産合計　　　　129,475百万円

⑥　純資産合計　　　 26,011百万円

３．議決権の所有又は被所有割合の［　］は、間接所有割合又は間接被所有割合で内数です。

４．関連会社等には、共同支配事業を含んでいます。

５．議決権の所有又は被所有割合の（　）は、被所有割合です。

６．「（その他の関係会社）」及び「（その他の関係会社の親会社）」については、企業会計基準適用指針第22号「連結財務諸表における子会社及び関連会社の範囲の決定に関する適用指針」（以下「日本基準」という。）第24項の規定を適用の上記載しております。その結果、当社議決権の22.02％を所有するBCPE Pangea Cayman, L.P.は、「財務諸表等の用語、様式及び作成方法に関する規則」（昭和38年大蔵省令第59号）に基づくその他の関係会社には該当しません。なお、当社が採用するIFRSにおける当社の最終的な支配当事者はBain Capital Investors LLCです。