ルネサスエレクトロニクス

1995年４月

東海旅客鉄道㈱ 入社

2001年８月

㈱MKSパートナーズ 入社 プリンシパル

2004年８月

同社 パートナー

2007年10月

メリルリンチ日本証券㈱（現BofA証券㈱） 入社 グローバルプライベートエクイティ マネージングディレクター

2009年９月

㈱産業革新機構(現㈱産業革新投資機構) 入社 投資事業グループ マネージングディレクター

2012年６月

同社 投資事業グループ 執行役員

2013年10月

当社 取締役

同　年11月

当社 取締役執行役員常務兼CFO

2016年６月

当社 執行役員常務兼CFO

2018年３月

当社 取締役執行役員常務兼CFO

2019年７月

当社 代表取締役社長兼CEO

2024年３月

当社 取締役 代表執行役社長兼CEO（現任）

2023年12月31日現在

区分

株式の状況(１単元の株式数100株)

単元未満
株式の状況
(株)

政府および地方公共
団体

金融機関

金融商品取引業者

その他の
法人

外国法人等

個人
その他

計

個人以外

個人

株主数
(人)

―

53

61

892

1,092

516

98,008

100,622

―

所有株式数
(単元)

―

3,917,113

192,998

3,717,003

9,212,535

4,559

2,538,778

19,582,986

155,423

所有株式数
の割合(％)

―

20.002

0.985

18.980

47.043

0.023

12.964

100

―

名称

住所

資本金または
出資金

主要な事業
の内容

議決権の所有
または被所有
割合(％)
(注１)

関係内容

(連結子会社)

ルネサス セミコンダクタ マニュファクチュアリング㈱(注２)

茨城県ひたちなか市

百万円

100

半導体製品の製造(前工程)

100.0

当社製品の製造
貸付金－無
不動産／設備の賃貸－有
役員の兼任－無

ルネサス エンジニアリングサービス㈱

東京都小平市

百万円

50

半導体製品の設計支援

100.0

当社製品の設計付帯業務
貸付金－無
不動産／設備の賃貸－有
役員の兼任－無

ルネサス エレクトロニクス中国社

中国
北京市

千米ドル
38,540

半導体製品の中国における販売

100.0

当社製品の販売
貸付金－無
不動産／設備の賃貸－無
役員の兼任－無

ルネサス エレクトロニクス上海社

中国
上海市

千米ドル
7,100

半導体製品の中国における販売

100.0

当社製品の販売
貸付金－無
不動産／設備の賃貸－無
役員の兼任－無

ルネサス エレクトロニクス香港社(注２)(注４)

中国
香港

千香港ドル
15,000

半導体製品の香港における販売

100.0

当社製品の販売
貸付金－無
不動産／設備の賃貸－無
役員の兼任－無

ルネサス エレクトロニクス台湾社

台湾
台北市

千台湾ドル
170,800

半導体製品の台湾における販売

100.0

当社製品の販売
貸付金－無
不動産／設備の賃貸－無
役員の兼任－無

ルネサス エレクトロニクス韓国社

韓国
ソウル市

千ウォン
3,751,885

半導体製品の韓国における販売

100.0

当社製品の販売
貸付金－無
不動産／設備の賃貸－無
役員の兼任－無

ルネサス エレクトロニクス・シンガポール社

シンガポール

千米ドル
32,287

半導体製品のアセアン、インド、オセアニアおよび中近東地区における販売

100.0

当社製品の販売
貸付金－無
不動産／設備の賃貸－無
役員の兼任－無

ルネサス エレクトロニクス・マレーシア社

マレーシア
クアラルンプール

千リンギット
700

半導体製品のマレーシアにおける販売支援

100.0
(100.0)
(注３)

当社製品の販売支援
貸付金－無
不動産／設備の賃貸－無
役員の兼任－無

ルネサス エレクトロニクス・インド社

インド
ベンガルール市

千インド
ルピー
32,500

半導体製品のインドにおける販売

100.0
(99.90)
(注３)

当社製品の販売
貸付金－無
不動産／設備の賃貸－無
役員の兼任－無

ルネサス エレクトロニクス・アメリカ社(注２)(注４)

アメリカ
カリフォルニア州

千米ドル
2,952,870

半導体製品のアメリカにおける設計、開発、製造および販売

100.0

当社製品の設計、開発、製造および販売
貸付金－無
不動産／設備の賃貸－無
役員の兼任－無

ルネサス エレクトロニクス・カナダ社

カナダ
オンタリオ州

千カナダドル
44,560

半導体製品のカナダにおける開発および販売

100.0
(100.0)
(注３)

当社製品の開発および販売
貸付金－無
不動産／設備の賃貸－無
役員の兼任－無

ルネサス エレクトロニクス・ブラジル・サービス社

ブラジル
サンパウロ州

―

半導体製品のブラジルおよび南米地域における販売（技術）支援

100.0
(100.0)
(注３)

当社製品の販売（技術）支援
貸付金－無
不動産／設備の賃貸－無
役員の兼任－無

ルネサス エレクトロニクス・ヨーロッパ社(ドイツ)(注２)(注４)

ドイツ
デュッセルドルフ市

千ユーロ
14,000

半導体製品のヨーロッパにおける設計、開発および販売

100.0
 

当社製品の設計、開発および販売
貸付金－無
不動産／設備の賃貸－無
役員の兼任－無

ルネサス セミコンダクタ北京社

中国
北京市

千米ドル
90,444

半導体製品の製造(後工程)

100.0

当社製品の製造
貸付金－無
不動産／設備の賃貸－無
役員の兼任－無

ルネサス セミコンダクタ蘇州社(注２)

中国
蘇州市

千米ドル
43,226

半導体製品の製造(後工程)

100.0
(6.33)
(注３)

当社製品の製造
貸付金－無
不動産／設備の賃貸－無
役員の兼任－無

名称

住所

資本金または
出資金

主要な事業
の内容

議決権の所有
または被所有
割合(％)
(注１)

関係内容

ルネサス セミコンダクタ・ケイエル社

マレーシア
セランゴール州

千リンギット
118,237

半導体製品の製造(後工程)

100.0

当社製品の製造
貸付金－無
不動産／設備の賃貸－無
役員の兼任－無

ルネサス セミコンダクタ・マレーシア社

マレーシア
ペナン州

千リンギット
84,000

半導体製品の製造(後工程)

90.0

当社製品の製造
貸付金－無
不動産／設備の賃貸－無
役員の兼任－無

ルネサス セミコンダクタ・ケダ社 

マレーシア
ケダ州

千リンギット
1,000

半導体製品の製造(後工程)

100.0
(100.0)
(注３)

当社製品の製造
貸付金－無
不動産／設備の賃貸－無
役員の兼任－無

ルネサス セミコンダクタテクノロジ・マレーシア社

マレーシア
ペナン州

千リンギット
1,000

半導体製品の製造(後工程)

100.0
(100.0)
(注３)

当社製品の製造
貸付金－無
不動産／設備の賃貸－無
役員の兼任－無

ルネサス セミコンダクタデザイン北京社

中国
北京市

千米ドル
7,000

半導体製品の設計および開発

100.0

当社製品の設計および開発
貸付金－無
不動産／設備の賃貸－無
役員の兼任－無

ルネサス デザイン・ベトナム社

ベトナム
ホーチミン市

千米ドル
10,200

半導体製品の設計および開発

100.0

当社製品の設計および開発
貸付金－無
不動産／設備の賃貸－無
役員の兼任－無

ルネサス セミコンダクタデザイン・マレーシア社

マレーシア
ペナン州

千リンギット
1,000

半導体製品の設計および開発

100.0
(100.0)
(注３)

当社製品の設計および開発
貸付金－無
不動産／設備の賃貸－無
役員の兼任－無

ルネサス インターナショナル・オペレーション社(注２)

マレーシア
セランゴール州

千リンギット
426,302

当社グループ会社の一部業務受託管理

100.0
(100.0)
(注３)

シェアードサービス（当社グループ内会社業務）
貸付金－無
不動産／設備の賃貸－無
役員の兼任－無

インターシル・ルクセンブルク社

ルクセンブルク

千米ドル
91,585

持株会社

100.0
(100.0)
(注３)

貸付金－無
不動産／設備の賃貸－無
役員の兼任－無

ルネサス デザイン・ブルガリア社

ブルガリア

ヴァルナ州

千ブルガリアレフ
5 

半導体製品の設計および開発

100.0
(100.0)
(注３)

当社製品の設計および開発
貸付金－無
不動産／設備の賃貸－無
役員の兼任－無

ルネサス デザイン・チューリッヒ社

スイス

チューリッヒ市

千スイスフラン
100

半導体製品の設計および開発

100.0
(100.0)
(注３)

当社製品の設計および開発
貸付金－無
不動産／設備の賃貸－無
役員の兼任－無

ルネサス インテグレーテッド・サーキット上海社

中国

上海市

千元
4,960

半導体製品の開発および販売

100.0
(100.0)
(注３)

当社製品の開発および販売
貸付金－無
不動産／設備の賃貸－無
役員の兼任－無

ルネサス インテグレーテッド・サーキット成都社

中国

成都市

千元
3,000

半導体製品の開発および販売

100.0
(100.0)
(注３)

当社製品の開発および販売
貸付金－無
不動産／設備の賃貸－無
役員の兼任－無

ルネサス エレクトロニクス・ペナン社(注２)

マレーシア

ペナン州

千米ドル
551,785

半導体製品の開発、製造および販売

100.0
(100.0)
(注３)

当社製品の開発および製造
貸付金－無
不動産／設備の賃貸－無
役員の兼任－無

ルネサス エレクトロニクス・ジャーマニー社(注２)

ドイツ

ドレスデン市

千ユーロ
15,750

半導体製品の開発、製造および販売

100.0
(100.0)
(注３)

当社製品の開発および製造
貸付金－無
不動産／設備の賃貸－無
役員の兼任－無

IDTバミューダ社

(注２)

バミューダ

千米ドル
462,119

持株会社

100.0
(100.0)
(注３)

貸付金－無
不動産／設備の賃貸－無
役員の兼任－無

名称

住所

資本金または
出資金

主要な事業
の内容

議決権の所有
または被所有
割合(％)
(注１)

関係内容

ギグピーク社

(注２)

アメリカ

デラウェア州

千米ドル
225,344

持株会社

100.0
(100.0)
(注３)

貸付金－無
不動産／設備の賃貸－無
役員の兼任－無

Dialog社

(注４)

イギリス

バッキンガムシャー州

千米ドル

13,526

半導体製品の開発、製造および販売

100.0

当社製品の開発、製造および販売

貸付金－無

不動産／設備の賃貸－無

役員の兼任－無

その他連結子会社  61社

ルネサス エレクトロニクス香港社

(1) 売上高

162,689百万円

の主要な損益情報等

(2) 経常利益

6,457百万円

(3) 当期純利益

5,495百万円

(4) 純資産額

27,756百万円

(5) 総資産額

77,733百万円

ルネサス エレクトロニクス・アメリカ社

(1) 売上高

376,927百万円

の主要な損益情報等

(2) 経常利益

36,064百万円

(3) 当期純利益

26,038百万円

(4) 純資産額

825,222百万円

(5) 総資産額

942,412百万円

ルネサス エレクトロニクス・ヨーロッパ社（ドイツ）

(1) 売上高

206,869百万円

の主要な損益情報等

(2) 経常利益

4,167百万円

(3) 当期純利益

2,392百万円

(4) 純資産額

19,647百万円

(5) 総資産額

94,294百万円

Dialog社

(1) 売上高

162,610百万円

の主要な損益情報等

(2) 経常利益

23,225百万円

(3) 当期純利益

18,761百万円

(4) 純資産額

188,980百万円

(5) 総資産額

234,791百万円

年月

事項

2002年11月

日本電気㈱の汎用DRAMを除く半導体事業を会社分割により分社化し、日本電気㈱の100％子会社として神奈川県川崎市にNECエレクトロニクス㈱を設立

2003年７月

東京証券取引所市場第一部に株式を上場

2004年５月

山形日本電気㈱の高畠工場における後工程部門を、台湾のASEグループに売却

2004年７月

当社から試作部門を分社化し、試作サービスの提供を主業務とするNECファブサーブ㈱を設立

2004年10月

NECセミコンダクターズ九州㈱に山口日本電気㈱の組立および検査工程（後工程）を統合し、NECセミコンパッケージ・ソリューションズ㈱に社名変更

2005年１月

山形日本電気㈱において300㎜ウェハ製造ラインの量産稼働開始

2005年10月

首鋼NECエレクトロニクス社の半導体開発および販売部門を北京NEC集成電路設計有限公司に統合し、NECエレクトロニクス中国社に社名変更

2006年４月

NEC化合物デバイス㈱を簡易合併方式により当社に吸収合併

2006年９月

韓国における営業拠点としてNECエレクトロニクス韓国社を設立

2006年９月

NECセミコンダクターズ・アイルランド社の組立および検査工程（後工程）ラインを閉鎖

2006年11月

NECデバイスポート㈱を簡易合併方式により当社に吸収合併

2007年６月

NECファブサーブ㈱のフォトマスク事業を大日本印刷㈱へ譲渡

2007年10月

NECセミコンダクターズ・インドネシア社の組立および検査工程（後工程）ラインを閉鎖

2008年４月

九州日本電気㈱は、山口日本電気㈱およびNECセミコンパッケージ・ソリューションズ㈱を吸収合併し、NECセミコンダクターズ九州・山口㈱に商号変更
関西日本電気㈱は、福井日本電気㈱を吸収合併し、NECセミコンダクターズ関西㈱に商号変更
山形日本電気㈱は、NECセミコンダクターズ山形㈱に商号変更

2010年４月

㈱ルネサステクノロジと合併し、ルネサスエレクトロニクス㈱に商号変更(注)

2010年11月

ノキア・コーポレーションよりワイヤレスモデム事業を譲受

2010年12月

モバイルマルチメディア事業（ノキア・コーポレーションから譲り受けたワイヤレスモデム事業を含む。）を吸収分割によりルネサスモバイル㈱に承継

2011年５月

ルネサス エレクトロニクス・アメリカ社の前工程ライン（ローズビル工場）をドイツのテレファンケン社に譲渡

2012年２月

ブラジルにおける販売支援拠点としてルネサス エレクトロニクス・ブラジル・サービス社の営業を開始

2012年３月

パワーアンプ事業および㈱ルネサス東日本セミコンダクタ長野デバイス本部の事業を㈱村田製作所へ譲渡

2012年７月

㈱ルネサス北日本セミコンダクタの前工程ライン（津軽工場）を富士電機㈱に譲渡

2013年１月

㈱ルネサスハイコンポーネンツの全株式をアオイ電子㈱に譲渡

2013年６月

㈱ルネサス北日本セミコンダクタ、ルネサス関西セミコンダクタ㈱および㈱ルネサス九州セミコンダクタの組立および検査工程（後工程）ライン（函館工場、福井工場および熊本工場）ならびに北海電子㈱の製造支援事業を㈱ジェイデバイスに譲渡

2013年９月

㈱産業革新機構、トヨタ自動車㈱、日産自動車㈱、㈱ケーヒン、㈱デンソー、キヤノン㈱、㈱ニコン、パナソニック㈱および㈱安川電機を割当先とする第三者割当増資を実施

2013年10月

ルネサスエレクトロニクス販売㈱を簡易合併方式により当社に吸収合併
ルネサスマイクロシステム㈱は、㈱ルネサスデザインを吸収合併し、ルネサスシステムデザイン㈱に商号変更
ルネサス武蔵エンジニアリングサービス㈱は、ルネサス北伊丹エンジニアリングサービス㈱およびルネサス高崎エンジニアリングサービス㈱を吸収合併し、ルネサスエンジニアリングサービス㈱に商号変更
㈱ルネサス北日本セミコンダクタは、㈱ルネサス東日本セミコンダクタを吸収合併
ルネサス モバイル・ヨーロッパ社およびルネサス モバイル・インド社の全株式をブロードコム・コーポレーションに譲渡

年月

事項

2013年11月

首鋼NECエレクトロニクス社の当社持分を首鋼総公司に譲渡

2014年２月

インドにおける営業拠点としてルネサス エレクトロニクス・インド社を設立

2014年３月

ルネサス山形セミコンダクタ㈱の前工程ライン（鶴岡工場）をソニーセミコンダクタ㈱に譲渡

2014年４月

半導体前工程製造事業に関し、ルネサス関西セミコンダクタ㈱を存続会社として、当社の半導体前工程製造事業、ルネサスセミコンダクタ九州・山口㈱の半導体前工程製造事業、㈱ルネサス北日本セミコンダクタの結晶事業、ルネサス甲府セミコンダクタ㈱、㈱ルネサス那珂セミコンダクタ、㈱ルネサス セミコンダクタエンジニアリングおよびルネサス山形セミコンダクタ㈱を吸収分割および吸収合併にて集約し、ルネサス セミコンダクタマニュファクチュアリング㈱に商号変更
半導体後工程製造事業に関し、ルネサスセミコンダクタ九州・山口㈱を存続会社として、当社の半導体後工程製造事業、㈱ルネサス北日本セミコンダクタ、㈱ルネサス柳井セミコンダクタ、羽黒電子㈱、北海電子㈱および㈱ルネサス九州セミコンダクタを吸収分割および吸収合併にて集約し、ルネサス セミコンダクタパッケージ＆テストソリューションズ㈱に商号変更

2014年10月

ルネサスモバイル㈱を簡易合併方式により当社に吸収合併
㈱ルネサスエスピードライバの当社が保有する全株式を米国シナプティクス社の欧州子会社に譲渡

2015年４月
 

当社のデバイスソリューション開発機能を簡易吸収分割方式により㈱ルネサス ソリューションズへ移管
当社の開発支援機能を簡易吸収分割方式によりルネサス エンジニアリングサービス㈱へ移管
㈱ルネサス ソリューションズのキット、プラットフォーム、分野ソリューションおよび拡販インフラの各開発機能などを簡易吸収分割方式により当社に移管
㈱ルネサス ソリューションズは、ルネサス システムデザイン㈱を吸収合併し、ルネサス システムデザイン㈱に商号変更

2016年２月
 

ルネサス セミコンダクタマニュファクチュアリング㈱の滋賀工場の一部（８インチウェハ製造ライン）をローム滋賀㈱に譲渡

2016年６月

ルネサス エレクトロニクス・シンガポール社を存続会社として、同社とルネサス セミコンダクタ・シンガポール社を合併

2017年２月

米国Intersil Corporation（以下「インターシル社」）の全株式を取得し、同社を当社の子会社化

2017年５月

ルネサス セミコンダクタパッケージ＆テストソリューションズ㈱の受託開発・製造および画像認識システム開発・製造・販売事業を日立マクセル㈱に譲渡

2017年７月

ルネサスシステムデザイン㈱を簡易合併方式により当社に吸収合併

2018年１月
 

インターシル社は、ルネサス エレクトロニクス・アメリカ社を吸収合併し、ルネサス エレクトロニクス・アメリカ社に商号変更

2018年８月

保有する㈱ルネサスイーストンの株式を一部売却し、当社の持分法適用関連会社から除外

2018年10月

ルネサス セミコンダクタマニュファクチュアリング㈱の高知工場を丸三産業㈱に譲渡

2019年１月

ルネサス セミコンダクタパッケージ＆テストソリューションズ㈱を簡易合併方式により当社に吸収合併

2019年３月

米国Integrated Device Technology, Inc.（以下「IDT社」）の全株式を取得し、同社を当社の子会社化

2020年１月

IDT社は、ルネサス エレクトロニクス・アメリカ社を吸収合併し、ルネサス エレクトロニクス・アメリカ社に商号変更

2021年８月

英国Dialog Semiconductor Plc（以下「Dialog社」）の全株式を取得し、同社を当社の子会社化

2021年12月

イスラエルCeleno Communications Ltd.の持株会社 Celeno Communications Inc.（以下「Celeno社」）の全株式を取得し、同社を当社の子会社化

2022年４月

東京証券取引所の市場区分の再編に伴い、東京証券取引所プライム市場に移行

2022年７月

米国Reality Analytics, Inc.（以下「Reality AI社」)の全株式を取得し、同社を当社グループの子会社化

2022年10月

インドSteradian Semiconductors Private Limited（以下「Steradian社」）の全株式を取得し、同社を当社の子会社化

2023年６月

オーストリアPanthronics AG（以下「Panthronics社」）の全株式を取得し、同社を当社グループの子会社化