2026.07.14更新

ストーリー・沿革

価値創造に関する情報ソースがAIによって要約されています。 情報ソース: Renesas Report 2025

サマリ

ルネサスは、マイクロコントローラ、SoC、アナログ半導体、パワー半導体を組み合わせ、自動車や産業機器の頭脳と電力制御を支える企業です。半導体単体の販売にとどまらず、ウイニング・コンビネーションや「Whole Product」で顧客の開発をラクにします。さらに「Renesas 365 Powered by Altium」で、半導体選定からシステムライフサイクル管理までを一つにつなぎ、電子機器開発そのものの変革に挑んでいます。

目指す経営指標

・2035年までに売上収益200億米ドル超
・2035年までに世界トップ3の組み込み半導体ソリューションサプライヤー
・2035年までに時価総額を2022年比6倍
・中期的にNon-GAAP営業利益率25~30%
・中長期的に設備投資を売上収益比5%程度・ネットレバレッジ1.0倍
・中期的にフリーキャッシュフローの30%以上を株主還元
・2030年までにGHG排出量を2021年比38%削減
・2030年までに水使用量を売上高当たり33%改善、水リサイクル率35%
・2040年度にカーボンニュートラル

用語解説

■ウイニング・コンビネーション
マイクロコントローラ、アナログ半導体、パワー半導体などを組み合わせ、顧客が電子機器を開発しやすい形にまとめたシステム提案です。半導体を単品で売るだけでなく、動作確認済みの構成を示すことで、開発期間の短縮や設計リスクの低減につなげます。

■Whole Product
半導体本体に加え、ソフトウェア、マニュアル、アプリケーションノートなど、顧客が製品を使うために必要な要素をそろえて提供する考え方です。顧客の導入や開発を「ラクにする」ことを目的としています。

■Renesas 365 Powered by Altium
半導体の選定からシステム設計、初期検証、ライフサイクル管理まで、電子機器の開発工程を一つにつなぐクラウド型プラットフォームです。設計情報や開発ツールを一元化し、部品検索や情報収集の時間、設計の手戻りを減らします。

■2035 Aspiration
ルネサスが2035年に向けて掲げる長期的な経営目標です。組み込み半導体ソリューションサプライヤーとして世界トップ3に入ることなどを目指し、事業や投資の方向性を示しています。

■Back to Basics
変化の激しい事業環境でも、事業戦略の基本に立ち返って経営基盤を強化する方針です。生産性の向上、パーパスフル投資、UX・デジタライゼーションを重点施策として進めます。

■Pivot
ルネサスが2025年を、持続的かつ飛躍的な成長へ向けて事業や組織を転換する年と位置づけた表現です。短期的な市場調整を、次の成長に備えるための準備期間として捉える姿勢を示しています。

■パーパスフル投資
将来の成長に結びつく分野を選び、経営資源を重点的に配分する投資方針です。組み込み半導体ソリューション、UX・デジタライゼーション、Vertical事業を主な戦略領域としています。

■Vertical事業
AIサーバ向けデジタルパワーやデータセンター向けメモリーインターフェースなど、高い成長性と付加価値が期待できる特定用途向けの事業です。ルネサスの技術ロードマップをけん引する重点領域とされています。

■UX・デジタライゼーション
UXは、顧客が製品を選び、設計し、使用するまでの体験を改善する取り組みです。デジタライゼーションでは、電子機器の設計や生産、ライフサイクル管理をデジタル上で一貫して支援します。

■Secular Growth
景気の一時的な変動ではなく、社会や産業の構造変化によって長期的な拡大が期待される成長分野です。ルネサスは、Software-Defined Vehicle、AIインフラおよびコンピュート、Intelligence at the Edgeを重点分野としています。

■Software-Defined Vehicle
車両の機能や性能を、主にソフトウェアによって追加・更新できる自動車の考え方です。ルネサスは、車載用SoCやマイクロコントローラなどを通じて、その発展を支えています。

■Intelligence at the Edge
データを遠隔のクラウドだけで処理せず、機器やセンサーに近い場所でAI処理を行う考え方です。応答時間の短縮や通信量の削減につながり、産業機器やIoT機器へのAI実装を可能にします。

■RA8シリーズ
最大1GHz動作のCPUコアと22nmプロセス対応のNVM技術を採用した、ルネサスの高性能32ビットマイクロコントローラです。AI処理、モータ制御、グラフィックス表示など幅広い用途に対応します。

■RA8P1
RA8シリーズの一製品で、AIアクセラレータを内蔵したマイクロコントローラです。産業機器やIoT機器において、クラウドに依存せず機器側でAI処理を行う「マイコンでAI」を支えます。

■GaN電源ソリューション
GaNと呼ばれる窒素ガリウムを用いたパワー半導体によって、高効率な電力変換を行う仕組みです。AIデータセンター、EV充電、蓄電システムなど、電力消費の大きい用途で損失低減に貢献します。

■SuperGaN技術
ルネサスが買収したTransphorm社のGaN技術です。従来のSiやSiCを使った半導体と比べ、低損失で高効率な電力変換を目指す技術として活用されています。

■R-Car V4H
高度な運転支援システム向けに開発されたルネサスの車載用SoCです。車載カメラやセンサーから得た情報を高速処理し、周囲の認識や走行判断を支援します。

■パーパスエフェクト
ルネサスのパーパスである「To Make Our Lives Easier」と、具体的な事業活動とのつながりを示す考え方です。「地球」「人々」「信頼」「顧客価値」「レジリエンス」の5つの視点で整理されています。

■To Make Our Lives Easier
「人々の能力を補完することで、私たちの暮らしをラクにする」というルネサスのパーパスです。半導体や開発環境を通じて、人や企業の作業負担を減らし、より便利で安全な社会を支える考えを表しています。
2025年12月期有価証券報告書より

沿革

 

2 【沿革】

当社は、2002年11月1日、日本電気㈱の汎用DRAM事業を除く半導体に関する研究、開発、設計、製造、販売およびサービスに関する事業を会社分割により分社化し、日本電気㈱の100%子会社であるNECエレクトロニクス㈱として発足しました。その後、2003年7月24日に東京証券取引所市場第一部に株式を上場し、2010年4月1日には㈱ルネサステクノロジと合併し、ルネサスエレクトロニクス㈱に商号変更しました。

設立以降の動向については、以下のとおりであります。

 

年月

事項

2002年11月

日本電気㈱の汎用DRAMを除く半導体事業を会社分割により分社化し、日本電気㈱の100%子会社として神奈川県川崎市にNECエレクトロニクス㈱を設立

2003年7月

東京証券取引所市場第一部に株式を上場

2004年5月

山形日本電気㈱の高畠工場における後工程部門を、台湾のASEグループに売却

2004年7月

当社から試作部門を分社化し、試作サービスの提供を主業務とするNECファブサーブ㈱を設立

2004年10月

NECセミコンダクターズ九州㈱に山口日本電気㈱の組立および検査工程(後工程)を統合し、NECセミコンパッケージ・ソリューションズ㈱に社名変更

2005年1月

山形日本電気㈱において300㎜ウェハ製造ラインの量産稼働開始

2005年10月

首鋼NECエレクトロニクス社の半導体開発および販売部門を北京NEC集成電路設計有限公司に統合し、NECエレクトロニクス中国社に社名変更

2006年4月

NEC化合物デバイス㈱を簡易合併方式により当社に吸収合併

2006年9月

韓国における営業拠点としてNECエレクトロニクス韓国社を設立

2006年9月

NECセミコンダクターズ・アイルランド社の組立および検査工程(後工程)ラインを閉鎖

2006年11月

NECデバイスポート㈱を簡易合併方式により当社に吸収合併

2007年6月

NECファブサーブ㈱のフォトマスク事業を大日本印刷㈱へ譲渡

2007年10月

NECセミコンダクターズ・インドネシア社の組立および検査工程(後工程)ラインを閉鎖

2008年4月

九州日本電気㈱は、山口日本電気㈱およびNECセミコンパッケージ・ソリューションズ㈱を吸収合併し、NECセミコンダクターズ九州・山口㈱に商号変更
関西日本電気㈱は、福井日本電気㈱を吸収合併し、NECセミコンダクターズ関西㈱に商号変更
山形日本電気㈱は、NECセミコンダクターズ山形㈱に商号変更

2010年4月

㈱ルネサステクノロジと合併し、ルネサスエレクトロニクス㈱に商号変更(注)

2010年11月

ノキア・コーポレーションよりワイヤレスモデム事業を譲受

2010年12月

モバイルマルチメディア事業(ノキア・コーポレーションから譲り受けたワイヤレスモデム事業を含む。)を吸収分割によりルネサスモバイル㈱に承継

2011年5月

ルネサス エレクトロニクス・アメリカ社の前工程ライン(ローズビル工場)をドイツのテレファンケン社に譲渡

2012年2月

ブラジルにおける販売支援拠点としてルネサス エレクトロニクス・ブラジル・サービス社の営業を開始

2012年3月

パワーアンプ事業および㈱ルネサス東日本セミコンダクタ長野デバイス本部の事業を㈱村田製作所へ譲渡

2012年7月

㈱ルネサス北日本セミコンダクタの前工程ライン(津軽工場)を富士電機㈱に譲渡

2013年1月

㈱ルネサスハイコンポーネンツの全株式をアオイ電子㈱に譲渡

2013年6月

㈱ルネサス北日本セミコンダクタ、ルネサス関西セミコンダクタ㈱および㈱ルネサス九州セミコンダクタの組立および検査工程(後工程)ライン(函館工場、福井工場および熊本工場)ならびに北海電子㈱の製造支援事業を㈱ジェイデバイスに譲渡

2013年9月

㈱産業革新機構、トヨタ自動車㈱、日産自動車㈱、㈱ケーヒン、㈱デンソー、キヤノン㈱、㈱ニコン、パナソニック㈱および㈱安川電機を割当先とする第三者割当増資を実施

2013年10月

ルネサスエレクトロニクス販売㈱を簡易合併方式により当社に吸収合併
ルネサスマイクロシステム㈱は、㈱ルネサスデザインを吸収合併し、ルネサスシステムデザイン㈱に商号変更
ルネサス武蔵エンジニアリングサービス㈱は、ルネサス北伊丹エンジニアリングサービス㈱およびルネサス高崎エンジニアリングサービス㈱を吸収合併し、ルネサスエンジニアリングサービス㈱に商号変更
㈱ルネサス北日本セミコンダクタは、㈱ルネサス東日本セミコンダクタを吸収合併
ルネサス モバイル・ヨーロッパ社およびルネサス モバイル・インド社の全株式をブロードコム・コーポレーションに譲渡

 

 

年月

事項

2013年11月

首鋼NECエレクトロニクス社の当社持分を首鋼総公司に譲渡

2014年2月

インドにおける営業拠点としてルネサス エレクトロニクス・インド社を設立

2014年3月

ルネサス山形セミコンダクタ㈱の前工程ライン(鶴岡工場)をソニーセミコンダクタ㈱に譲渡

2014年4月

半導体前工程製造事業に関し、ルネサス関西セミコンダクタ㈱を存続会社として、当社の半導体前工程製造事業、ルネサスセミコンダクタ九州・山口㈱の半導体前工程製造事業、㈱ルネサス北日本セミコンダクタの結晶事業、ルネサス甲府セミコンダクタ㈱、㈱ルネサス那珂セミコンダクタ、㈱ルネサス セミコンダクタエンジニアリングおよびルネサス山形セミコンダクタ㈱を吸収分割および吸収合併にて集約し、ルネサス セミコンダクタマニュファクチュアリング㈱に商号変更
半導体後工程製造事業に関し、ルネサスセミコンダクタ九州・山口㈱を存続会社として、当社の半導体後工程製造事業、㈱ルネサス北日本セミコンダクタ、㈱ルネサス柳井セミコンダクタ、羽黒電子㈱、北海電子㈱および㈱ルネサス九州セミコンダクタを吸収分割および吸収合併にて集約し、ルネサス セミコンダクタパッケージ&テストソリューションズ㈱に商号変更

2014年10月

ルネサスモバイル㈱を簡易合併方式により当社に吸収合併
㈱ルネサスエスピードライバの当社が保有する全株式を米国シナプティクス社の欧州子会社に譲渡

2015年4月
 

当社のデバイスソリューション開発機能を簡易吸収分割方式により㈱ルネサス ソリューションズへ移管
当社の開発支援機能を簡易吸収分割方式によりルネサス エンジニアリングサービス㈱へ移管
㈱ルネサス ソリューションズのキット、プラットフォーム、分野ソリューションおよび拡販インフラの各開発機能などを簡易吸収分割方式により当社に移管
㈱ルネサス ソリューションズは、ルネサス システムデザイン㈱を吸収合併し、ルネサス システムデザイン㈱に商号変更

2016年2月
 

ルネサス セミコンダクタマニュファクチュアリング㈱の滋賀工場の一部(8インチウェハ製造ライン)をローム滋賀㈱に譲渡

2016年6月

 

ルネサス エレクトロニクス・シンガポール社を存続会社として、同社とルネサス セミコンダクタ・シンガポール社を合併

2017年2月

米国Intersil Corporation(以下「インターシル社」)の全株式を取得し、同社を当社の子会社化

2017年5月

ルネサス セミコンダクタパッケージ&テストソリューションズ㈱の受託開発・製造および画像認識システム開発・製造・販売事業を日立マクセル㈱に譲渡

2017年7月

ルネサスシステムデザイン㈱を簡易合併方式により当社に吸収合併

2018年1月
 

インターシル社は、ルネサス エレクトロニクス・アメリカ社を吸収合併し、ルネサス エレクトロニクス・アメリカ社に商号変更

2018年8月

保有する㈱ルネサスイーストンの株式を一部売却し、当社の持分法適用関連会社から除外

2018年10月

ルネサス セミコンダクタマニュファクチュアリング㈱の高知工場を丸三産業㈱に譲渡

2019年1月

ルネサス セミコンダクタパッケージ&テストソリューションズ㈱を簡易合併方式により当社に吸収合併

2019年3月

米国Integrated Device Technology, Inc.(以下「IDT社」)の全株式を取得し、同社を当社の子会社化

2020年1月

IDT社は、ルネサス エレクトロニクス・アメリカ社を吸収合併し、ルネサス エレクトロニクス・アメリカ社に商号変更

2021年8月

英国Dialog Semiconductor Plc(以下「Dialog社」)の全株式を取得し、同社を当社の子会社化

2021年12月

イスラエルCeleno Communications Ltd.の持株会社 Celeno Communications Inc.(以下「Celeno社」)の全株式を取得し、同社を当社の子会社化

2022年4月

東京証券取引所の市場区分の再編に伴い、東京証券取引所プライム市場に移行

2022年7月

米国Reality Analytics, Inc.の全株式を取得し、同社を当社の子会社化

2022年10月

インドSteradian Semiconductors Private Limited(以下「Steradian社」)の全株式を取得し、同社を当社の子会社化

2023年6月

オーストリアPanthronics AG(以下「Panthronics社」)の全株式を取得し、同社を当社の子会社化

2024年4月

ルネサス エンジニアリングサービス㈱を簡易合併方式により当社に吸収合併

2024年6月

米国Transphorm, Inc.(以下「Transphorm社」)の全株式を取得し、同社を当社の子会社化

2024年8月

米国Altium Limited(以下「Altium社」)の全株式を取得し、同社を当社の子会社化

 

(注)  当該合併に伴い、㈱ルネサステクノロジの関係会社を承継するとともに、当社グループの関係会社の一部について、再編、商号変更などを実施しております。

関係会社

 

4 【関係会社の状況】

2025年12月31日現在

名称

住所

資本金または
出資金

主要な事業
の内容

議決権の所有
または被所有
割合(%)
(注1)

関係内容

(連結子会社)

 

 

 

 

 

ルネサス セミコンダクタ マニュファクチュアリング㈱(注2)

茨城県ひたちなか市

百万円

100

半導体製品の製造(前工程)

100.0

当社製品の製造
貸付金-有
不動産/設備の賃貸-有
役員の兼任-無

ルネサス エレクトロニクス中国社

中国
北京市

千米ドル
38,540

半導体製品の中国における販売

 

100.0

 

当社製品の販売
貸付金-無
不動産/設備の賃貸-無
役員の兼任-無

ルネサス エレクトロニクス上海社

中国
上海市

千米ドル
7,100

半導体製品の中国における販売

100.0

当社製品の販売
貸付金-無
不動産/設備の賃貸-無
役員の兼任-無

ルネサス エレクトロニクス香港社(注2)(注4)

中国
香港

千香港ドル
15,000

半導体製品の香港における販売

100.0

当社製品の販売
貸付金-無
不動産/設備の賃貸-無
役員の兼任-無

ルネサス エレクトロニクス台湾社

台湾
台北市

千台湾ドル
170,800

半導体製品の台湾における販売

100.0

当社製品の販売
貸付金-無
不動産/設備の賃貸-無
役員の兼任-無

ルネサス エレクトロニクス韓国社

韓国
ソウル市

千ウォン
3,751,885

半導体製品の韓国における販売

100.0

当社製品の販売
貸付金-無
不動産/設備の賃貸-無
役員の兼任-無

ルネサス エレクトロニクス・シンガポール社

シンガポール

千米ドル
32,287

半導体製品のアセアン、インドおよびオセアニアにおける販売

100.0

当社製品の販売
貸付金-無
不動産/設備の賃貸-無
役員の兼任-無

ルネサス エレクトロニクス・マレーシア社

マレーシア
クアラルンプール

千リンギット
700

半導体製品のマレーシアにおける販売支援

100.0
(100.0)
(注3)

当社製品の販売支援
貸付金-無
不動産/設備の賃貸-無
役員の兼任-無

ルネサス エレクトロニクス・インド社

インド
ベンガルール市

千インド
ルピー
32,500

半導体製品のインドにおける販売

100.0
(99.90)
(注3)

当社製品の販売
貸付金-有
不動産/設備の賃貸-無
役員の兼任-無

ルネサス エレクトロニクス・アメリカ社(注2)(注4)

アメリカ
カリフォルニア州

千米ドル
2,952,870

半導体製品のアメリカにおける設計、開発、製造および販売

100.0

当社製品の設計、開発、製造および販売
貸付金-無
不動産/設備の賃貸-無
役員の兼任-無

ルネサス エレクトロニクス・カナダ社

カナダ
オンタリオ州

千カナダドル
44,560

半導体製品のカナダにおける開発および販売

100.0
(100.0)
(注3)

当社製品の開発および販売
貸付金-無
不動産/設備の賃貸-無
役員の兼任-無

ルネサス エレクトロニクス・ブラジル・サービス社

ブラジル
サンパウロ州

半導体製品のブラジルおよび南米地域における販売(技術)支援

100.0
(100.0)
(注3)

当社製品の販売(技術)支援
貸付金-無
不動産/設備の賃貸-無
役員の兼任-無

ルネサス エレクトロニクス・ヨーロッパ社(ドイツ)(注2)(注4)

ドイツ
デュッセルドルフ市

千ユーロ
14,000

半導体製品のヨーロッパにおける設計、開発および販売

100.0
 

当社製品の設計、開発および販売
貸付金-有
不動産/設備の賃貸-無
役員の兼任-無

ルネサス セミコンダクタ北京社

中国
北京市

千米ドル
90,444

半導体製品の製造(後工程)

100.0

当社製品の製造
貸付金-無
不動産/設備の賃貸-無
役員の兼任-無

ルネサス セミコンダクタ蘇州社

中国
蘇州市

千米ドル
43,226

半導体製品の製造(後工程)

100.0
(6.33)
(注3)

当社製品の製造
貸付金-無
不動産/設備の賃貸-無
役員の兼任-無

 

 

名称

住所

資本金または
出資金

主要な事業
の内容

議決権の所有
または被所有
割合(%)
(注1)

関係内容

ルネサス セミコンダクタ・ケイエル社

マレーシア
セランゴール州

千リンギット
118,237

半導体製品の製造(後工程)

100.0

当社製品の製造
貸付金-無
不動産/設備の賃貸-無
役員の兼任-無

ルネサス セミコンダクタ・マレーシア社

マレーシア
ペナン州

千リンギット
84,000

半導体製品の製造(後工程)

 

90.0

 

当社製品の製造
貸付金-無
不動産/設備の賃貸-無
役員の兼任-無

ルネサス セミコンダクタ・ケダ社 

マレーシア
ケダ州

千リンギット
1,000

半導体製品の製造(後工程)

100.0
(100.0)
(注3)

当社製品の製造
貸付金-無
不動産/設備の賃貸-無
役員の兼任-無

ルネサス セミコンダクタテクノロジ・マレーシア社

マレーシア
ペナン州

千リンギット
1,000

半導体製品の製造(後工程)

100.0
(100.0)
(注3)

当社製品の製造
貸付金-無
不動産/設備の賃貸-無
役員の兼任-無

ルネサス セミコンダクタデザイン北京社

中国
北京市

千米ドル
7,000

半導体製品の設計および開発

 

100.0

 

当社製品の設計および開発
貸付金-無
不動産/設備の賃貸-無
役員の兼任-無

ルネサス デザイン・ベトナム社

ベトナム
ホーチミン市

千米ドル
10,200

半導体製品の設計および開発

 

100.0

 

当社製品の設計および開発
貸付金-無
不動産/設備の賃貸-無
役員の兼任-無

ルネサス セミコンダクタデザイン・マレーシア社

マレーシア
ペナン州

千リンギット
1,000

半導体製品の設計および開発

100.0
(100.0)
(注3)

当社製品の設計および開発
貸付金-無
不動産/設備の賃貸-無
役員の兼任-無

ルネサス インターナショナル・オペレーション社(注2)

マレーシア
セランゴール州

千リンギット
426,302

当社グループ会社の一部業務受託管理

100.0
(100.0)
(注3)

シェアードサービス(当社グループ内会社業務)
貸付金-無
不動産/設備の賃貸-無
役員の兼任-無

インターシル・ルクセンブルク社

ルクセンブルク

千米ドル
91,585

持株会社

100.0
(100.0)
(注3)

貸付金-無
不動産/設備の賃貸-無
役員の兼任-無

ルネサス デザイン・ブルガリア社

ブルガリア

ヴァルナ州

千ブルガリアレフ
5 

半導体製品の設計および開発

100.0
(100.0)
(注3)

当社製品の設計および開発
貸付金-無
不動産/設備の賃貸-無
役員の兼任-無

ルネサス デザイン・チューリッヒ社

スイス

チューリッヒ市

千スイスフラン
100

半導体製品の設計および開発

100.0
(100.0)
(注3)

当社製品の設計および開発
貸付金-無
不動産/設備の賃貸-無
役員の兼任-無

ルネサス インテグレーテッド・サーキット上海社

中国

上海市

千元
4,960

半導体製品の開発および販売

100.0
(100.0)
(注3)

当社製品の開発および販売
貸付金-無
不動産/設備の賃貸-無
役員の兼任-無

ルネサス インテグレーテッド・サーキット成都社

中国

成都市

千元
3,000

半導体製品の開発および販売

100.0
(100.0)
(注3)

当社製品の開発および販売
貸付金-無
不動産/設備の賃貸-無
役員の兼任-無

ルネサス エレクトロニクス・ペナン社(注2)

マレーシア

ペナン州

千米ドル
551,785

半導体製品の開発、製造および販売

100.0
(100.0)
(注3)

当社製品の開発および製造
貸付金-無
不動産/設備の賃貸-無
役員の兼任-無

ルネサス エレクトロニクス・ジャーマニー社(注2)

ドイツ

ドレスデン市

千ユーロ
15,750

半導体製品の開発、製造および販売

100.0
(100.0)
(注3)

当社製品の開発および製造
貸付金-無
不動産/設備の賃貸-無
役員の兼任-無

IDTバミューダ社

(注2)

バミューダ

千米ドル
462,119

持株会社

100.0
(100.0)
(注3)

貸付金-無
不動産/設備の賃貸-無
役員の兼任-無

 

 

名称

住所

資本金または
出資金

主要な事業
の内容

議決権の所有
または被所有
割合(%)
(注1)

関係内容

ギグピーク社

(注2)

アメリカ

デラウェア州

千米ドル
225,344

持株会社

100.0
(100.0)
(注3)

貸付金-無
不動産/設備の賃貸-無
役員の兼任-無

Dialog社

イギリス

バッキンガムシャー州

千米ドル

13,526

半導体製品の開発、製造および販売

100.0

当社製品の開発、製造および販売

貸付金-無

不動産/設備の賃貸-無

役員の兼任-無

ルネサス エレクトロニクス・オーストラリア社(注2)

オーストラリア

ニューサウスウェールズ州

百万豪ドル9,125

持株会社

100.0

貸付金-無

不動産/設備の賃貸-無

役員の兼任-無

ルネサス エレクトロニクスNSW社(注2)

オーストラリア

ニューサウスウェールズ州

百万豪ドル9,125

持株会社

100.0

(100.0)

(注3)

貸付金-無

不動産/設備の賃貸-無

役員の兼任-無

Altium社

(注2)

オーストラリア

ニューサウスウェールズ州

千米ドル

143,543

PCB設計などのソフトウェアツールの開発および販売

100.0

(100.0)

(注3)

当社製品の開発および販売

貸付金-有

不動産/設備の賃貸-無

役員の兼任-無

Altium IP Hold社

(注2)

オーストラリア

ニューサウスウェールズ州

千米ドル

402,900

持株会社

100.0

(100.0)

(注3)

貸付金-無

不動産/設備の賃貸-無

役員の兼任-無

Altium IP社

(注2)

アメリカ

カリフォルニア州

千米ドル

402,900

持株会社

100.0

(100.0)

(注3)

貸付金-無

不動産/設備の賃貸-無

役員の兼任-無

Altium LLC社

(注2)

アメリカ

カリフォルニア州

千米ドル

402,900

ソフトウェア開発、販売およびサービス

100.0

(100.0)

(注3)

当社製品の開発、販売およびサービス

貸付金-無

不動産/設備の賃貸-無

役員の兼任-無

その他連結子会社  69社

 

 

 

 

 

(持分法適用会社)

1社

 

 

 

 

 

 

(注) 1  議決権の所有または被所有割合は、小数点第3位以下を切り捨てて表示しております。

   2  特定子会社に該当しております。

     3  議決権の所有割合の(  )内は、間接所有割合で内数であります。

     4  ルネサス エレクトロニクス香港社、ルネサス エレクトロニクス・アメリカ社およびルネサス エレクトロニクス・ヨーロッパ社(ドイツ)については、売上高(連結会社相互間の内部売上高を除きます。)の連結売上高に占める割合が10%を超えております。

ルネサス エレクトロニクス香港社

(1) 売上高

170,362百万円

の主要な損益情報等

(2) 経常利益

8,133百万円

 

(3) 当期純利益

6,926百万円

 

(4) 純資産額

44,181百万円

 

(5) 総資産額

86,661百万円

 

 

ルネサス エレクトロニクス・アメリカ社

(1) 売上高

405,947百万円

の主要な損益情報等

(2) 経常利益

30,303百万円

 

(3) 当期純損失

△216,512百万円

 

(4) 純資産額

641,641百万円

 

(5) 総資産額

804,660百万円

 

           なお、ルネサス エレクトロニクス・アメリカ社の数値は同社の子会社(30社)を含む連結決算数値であります。

 

ルネサス エレクトロニクス・ヨーロッパ社(ドイツ)

(1) 売上高

164,460百万円

の主要な損益情報等

(2) 経常利益

2,958百万円

 

(3) 当期純利益

1,227百万円

 

(4) 純資産額

33,294百万円

 

(5) 総資産額

75,456百万円