レーザーテック

・2025年6月期～2030年6月期の中期経営計画期間において、半導体市場の年平均成長率8.6％を上回る、売上高10％以上の年平均成長率の達成を目指す。
・同計画期間中に、主力装置のリードタイムを短縮し、ACTISは約2年→1.5年以下、MATRICSは約1.5年→1年以下とすることを目標とする。
・温室効果ガス排出量（Scope1+2）について、2050年までのネットゼロ達成を目標とし、2030年までに中間的な削減目標を設定している。
・毎年の水使用量を売上原単位で管理し、前年に対して増加させないことを環境指標として掲げている。

■フォトマスク
半導体の回路パターンを描いたガラス板で、光を当ててシリコンウェハに回路を転写する「型（ステンシル）」の役割を持つ部品です。レーザーテックはこのフォトマスクの欠陥を検査する装置を主力としています。

■フォトマスク・ピンホール検査装置
フォトマスクブランクス（まだ回路パターンを焼き付けていないマスク用ガラス）に開いた微小な穴（ピンホール）を自動で検査する装置です。半導体工場で人の目に頼っていた検査工程を自動化し、検査速度と欠陥の見逃しにくさを大きく高めた、レーザーテック最初の半導体向け製品です。

■LSIフォトマスク欠陥検査装置
LSI（大規模集積回路）の精密なパターンが描かれたフォトマスク上の欠陥を、自動で高速・高感度に検査する装置です。目視では見落としやすい微細な欠陥を検出し、半導体チップの歩留まり（良品率）向上に貢献してきました。

■MATRICSシリーズ
従来のフォトマスク欠陥検査装置を全面的に刷新して生まれた、レーザーテックのフォトマスク欠陥検査・レビュー装置シリーズです。最先端の半導体工場で使われ、フォトマスクの欠陥を高精度に検出・解析することで、回路微細化が進んだ製造ラインの歩留まり向上に寄与しています。

■走査型カラーレーザー顕微鏡
レーザー光を試料表面上で走査し、細かな凹凸や模様をカラーで観察できる顕微鏡です。半導体に限らず、さまざまな材料表面を非接触で高精細に観察できるため、新しい事業分野の開拓にもつながった製品です。

■位相シフト量測定装置
露光装置で使われる波長（主に365nmのi線）と同じ光を使い、フォトマスクの位相シフト量を測定する装置です。量産ラインと同じ条件でマスクの位相を評価できるため、フォトマスク製造工程での標準機として使われ、微細な回路パターンの形成精度向上に役立っています。

■電気化学反応可視化コンフォーカルシステム
リチウムイオン電池などの電極に対して、電気化学反応の進み具合を共焦点光学技術で可視化するシステムです。電極表面だけでなく断面で起きている反応もリアルタイムのカラー動画として観察でき、材料特性の改善や電池性能向上の研究を加速させる用途で使われています。

■EUVマスクブランクス
EUVリソグラフィで使うフォトマスクの材料（マスクブランクス）で、ガラス基板の上に多層膜を積層した状態のものです。まだ回路パターンを描く前の段階の部材であり、この中に潜む微小な欠陥が後の歩留まりに大きく影響するため、レーザーテックの検査装置で入念にチェックされます。

■EUVマスクブランクス欠陥検査装置
EUVマスクブランクス内部にある微小な欠陥を高感度で検出する検査装置です。EUVリソグラフィに対応したマスク材料の品質を事前に確認し、欠陥を早期に把握することで、EUV世代の半導体製造における歩留まり向上に大きく貢献しています。

■アクティニックEUVパターンマスク欠陥検査装置
実際の露光と同じEUV光（波長13.5nm）を使って、EUV用フォトマスクのパターンを検査する装置です。「アクティニック」は「本番と同じ条件で」という意味で、量産時と同じEUV光でしか見えない欠陥も検出できる点が特徴です。EUVパターンマスク特有の欠陥を見つけ、回路微細化に対応した品質管理を可能にします。

■ACTIS
レーザーテックのアクティニックEUVパターンマスク欠陥検査装置の製品名です。EUV光を使ってマスクパターンを直接検査し、最先端ロジックやメモリの量産ラインで歩留まり向上に貢献する同社の主力装置として位置づけられています。

■ウェハエッジ検査
シリコンウェハの外周部分（エッジ）に欠けや傷、異物などがないかを検査する工程・装置を指します。ウェハエッジの欠陥はライン全体のトラブルや歩留まり低下の原因になるため、レーザーテックの装置で高精度にチェックされています。

■ウェハ内部欠陥検査
ウェハ内部に存在する結晶欠陥や空洞などを非破壊で検査する工程・装置です。目に見えない内部欠陥を事前に検出し、デバイス性能のばらつきや歩留まり低下を防ぐ目的で使われます。

■ビア深さ測定
配線同士を縦方向につなぐ微小な穴（ビア）の深さを測定する技術・装置です。ビアの深さが設計どおりでないと配線不良や性能低下につながるため、三次元構造の半導体デバイスで重要な検査項目です。

■SiCウェハ欠陥検査
パワー半導体に使われるシリコンカーバイド（SiC）ウェハの欠陥を検査する技術・装置です。SiC特有の結晶欠陥を見つけ出し、高耐圧・高効率なデバイスを安定して製造するための品質確認に用いられます。

■リードタイム
受注から装置の検査・立ち上げ・検収を経て売上計上に至るまでの時間を指します。レーザーテックは、調達・製造・立ち上げの各工程を見直し、主力製品の製造リードタイムを短縮することを中期経営計画の重点施策としています。

■サービスビジネス
装置の販売後に発生する保守・メンテナンス、消耗品の供給、性能向上のための改造やアップグレードなどから得られる収入を指します。装置の稼働価値を高めつつ、保守契約などを通して安定的な収益と長期的な顧客関係を生み出すビジネス領域です。

■ファブライト戦略
自社のエンジニアは設計業務と顧客対応に専念し、装置の部品製造や組み立てといった生産業務は外部パートナーに委託する経営方針です。開発・設計リソースを集中させつつ、サプライヤーとの協業で生産能力と効率を確保することで、柔軟な供給と高い競争力を両立させています。

■Lasertec Innovation Park（InnoPa）
新横浜本社近くに設けられたレーザーテックの研究開発拠点兼生産拠点です。クリーンルームなどを備え、開発・評価・一部製造を集約することでキャパシティ拡大と生産効率の向上を図るとともに、次世代装置の開発やリードタイム短縮の中核となる施設として位置づけられています。

■TCFD
気候変動が事業にもたらすリスクや機会を整理し、戦略や指標・目標などの形で開示することを求める国際的な枠組みです。レーザーテックはこの枠組みに沿って気候変動シナリオの分析や温室効果ガス削減目標の設定を行い、中長期の経営戦略に組み込んでいます。

■TNFD
自然資本や生物多様性に関するリスクと機会を整理し、開示や経営判断に反映することを目的とした枠組みです。レーザーテックはこの考え方を使い、自社やサプライチェーンが自然環境に与える影響を整理し、水資源や生態系への配慮を含めた事業戦略を検討しています。

■Scope 1+2
企業活動に伴う温室効果ガス排出量のうち、自社で燃料を使うことによる直接排出（Scope 1）と、購入した電力・熱の使用に伴う間接排出（Scope 2）を合計したものです。レーザーテックはこのScope 1+2について、2030年に向けた削減目標を設定し、2050年までのネットゼロ達成を目指しています。